专利名称：AlGaN材料的生长方法专利类型：发明专利 发明人：张怡静，陈明，王建明，闫大鹏申请号：CN202111675755.8
申请日：20211231
公开号：CN114318502A
公开日：
20220412
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本申请提供了一种AlGaN材料的生长方法，该方法包括：向包括AlGa溶液的反应室中通入氮气；对氮气进行电离，使得电离得到的氮离子的部分溶解在AlGa溶液中；采用晶体提拉法从溶解有氮离子的AlGa溶液中得到AlGaN材料。相比现有技术中MOCVD以及MBE等方法制备AlxGa1‑xN材料来说，本申请采用氮气电离反应生成氮离子溶于AlGa溶液后生成AlGaN材料，这种方法所需条件简单，制备成本较低，所需反应温度较低，单AlGaN材料的制备速度快，产量高，较好地解决了现有技术中AlGaN材料的制备成本高且制备速度慢的问题，有利于工业大规模的生产制备。 申请人：武汉锐科光纤激光技术股份有限公司
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国籍：CN
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代理人：霍文娟
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