一种多发光子区GaN基LED集成芯片[发明专利]

专利名称:一种多发光子区GaN基LED集成芯片
专利类型:发明专利
发明人:徐洲,陈鹏,谭崇斌,徐兆青,张琳,吴真龙,徐峰,高峰,邵勇,王栾井,宋雪云
申请号:CN201310617852.0
申请日:20131129
公开号:CN103730479A
公开日:
20140416
专利内容由知识产权出版社提供
摘要:一种多发光子区GaN基LED集成芯片,属于LED芯片结构的技术领域,包括衬底、n-GaN 层、量子阱有源区、p-GaN层、电流扩展层、P电极和至少两个发光子区,相邻的发光子区之间设有相互隔离的沟槽,沟槽的底部位于衬底表面。本发明极大程度地减小互连线横跨沟槽时断路的概率,可以提高芯片内全反射光出射的概率,减少内反射损耗,从而提高光抽取效率。
申请人:南京大学扬州光电研究院
地址:225009 江苏省扬州市邗江中路119号
国籍:CN
代理机构:扬州市锦江专利事务所
代理人:江平

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