一种Bi2212磁体绝缘结构及其制备方法

(19)中华人民共和国国家知识产权局

	(12)发明专利说明书
		(10)申请公布号 CN 114530327 A (43)申请公布日 2022.05.24

(21)申请号 CN202210424153.3

(22)申请日 2022.04.22

(71)申请人中国科学院合肥物质科学研究院

地址 230071 安徽省合肥市蜀山区蜀山湖路350号

(72)发明人刘志宏孙静陈罗歆吴杰峰闫朝辉王锐

(74)专利代理机构广州三环专利商标代理有限公司

代理人费雯

(51)Int.CI

H01F41/12

H01F41/04

H01F6/06

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称

一种Bi2212磁体绝缘结构及其制备方法

(57)摘要

本发明公开了一种Bi2212磁体绝缘结构及其制备方法，属于超导磁体绝缘材料领域。本发明所述制备方法中，选用特殊处理的纤维带并配合低温环氧树脂制备Bi2212超导磁体绝缘结构可兼顾高力学性能和高绝缘性能，在某些情况下使用效果优于现有Nb3Sn磁体。本发明还公开了所述制备方法得到的Bi2212磁体绝缘结构及其在超导磁体器件制备中的应用。

法律状态

法律状态公告日	法律状态信息	法律状态
2022-05-24	公开	发明专利申请公布
2022-06-10	实质审查的生效IPC(主分类):H01F41/12专利申请号:2022104241533申请日:20220422	实质审查的生效
2022-07-12	授权	发明专利权授予