(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201910206529.1
(22)申请日 2019.03.19
(71)申请人 中南大学
地址 410000 湖南省长沙市麓山南路932号
(72)发明人 黄寒 刘金鑫 施姣 肖君婷
陈凤鸣
(74)专利代理机构 北京高沃律师事务所 11569
代理人 瞿晓晶
(51)Int.Cl.
C30B 29/16(2006.01)
C30B 29/46(2006.01)
C30B 25/18(2006.01)
C30B 29/60(2006.01)
B82Y 30/00(2011.01)
B82Y 40/00(2011.01)
(54)发明名称
一种沿＜010＞晶向生长的二氧化钼@二硫
(57)摘要
本发明提供了一种沿<010>晶向生长的二氧
化钼@二硫化钼核壳纳米棒及其制备方法，属于
纳米材料技术领域，包括以下步骤：以蓝宝石的m
面为基底，硫块和三氧化钼粉末为反应原料，进
二氧化钼@二硫化钼核壳纳米棒；所述硫块与三
氧化钼粉末的质量比为25～35：1。本发明以蓝宝
石的m面为基底，通过常压化学气相沉积的方法
得到了沿<010>晶向生长的二氧化钼@二硫化钼
核壳纳米棒。所得纳米棒为单斜晶系，结晶性好，
定向性高，
生长分布均匀。权利要求书1页 说明书7页 附图6页CN 109868505 A 2019.06.11
C N 109868505
A
权 利 要 求 书1/1页CN 109868505 A
1.一种沿<010>晶向生长的二氧化钼@二硫化钼核壳纳米棒的制备方法，包括以下步骤：
以蓝宝石的m面为基底，硫块和三氧化钼粉末为反应原料，进行常压化学气相沉积，得到沿<010>晶向生长的二氧化钼@二硫化钼核壳纳米棒；所述硫块与三氧化钼粉末的质量比为25～35：1。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述基底的左边缘放置于三氧化钼粉末的正上方。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述常压化学气相沉积的载流气体为氮气。
4.根据权利要求1～3任意一项所述的制备方法，其特征在于，所述常压化学气相沉积的反应器为双温区反应器，所述温区反应器沿载流气体方向分为第一温区和第二温区；所述硫块位于第一温区，所述基底和三氧化钼粉末位于第二温区，所述基底位于三氧化钼粉末之上。 5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述双温区反应器为双温区管式炉。
6.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述常压化学气相沉积的控温程序为：
所述第二温区的温度由室温进行第一升温至第一温度进行第一保温，然后第二升温至第二温度进行第二保温，第二保温后依次进行第一冷却和第二冷却；
所述第一升温的速率为15～20℃/min，所述第一温度为300℃，所述第一保温的时间为20～30min；所述第二升温的速率为13～15℃/min，所述第二温度为750～780℃，所述第二保温的时间为10～15min；所述第一冷却的速率为10℃/min，时间为20～22min；所述第二冷却的时间为20～25min，所述第二冷却后的温度为20～30℃；
所述第一温区的温度保持在80℃直到第二温区的温度达到690～720℃时第三升温至第三温度进行第三保温，第三保温后第四升温至第四温度；所述第三升温速率为25℃/min，所述第三温度为200～220℃，所述第三保温的时间为15min，所述第四升温速率为20℃/ min，所述第四温度为300～320℃。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述第一升温和第一保温过程中载流气体的流速为300～500sccm；所述第二升温和第二保温过程中载流气体的流速为25～100sccm；所述第一冷却过程中载流气体的流速为25～100sccm；所述第二冷却过程中的载流气体的流速为500sccm。
8.权利要求1～7任意一项所述的制备方法制备得到的沿<010>晶向生长的二氧化钼@二硫化钼核壳纳米棒。
2
豫公网安备41160202000603
站长QQ:729038198
关于我们
投诉建议