(19)中华人民共和国国家知识产权局
| (12)发明专利说明书 | |
| (10)申请公布号 CN 101131963 A (43)申请公布日 2008.02.27 |
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(21)申请号 CN200610111475.3
(22)申请日 2006.08.22
(71)申请人 旺宏电子股份有限公司
地址 新竹县新竹科学工业园区力行路16号
(72)发明人 林正伟 刘光文 陈昕辉
(74)专利代理机构 北京中原华和知识产权代理有限责任公司
代理人 寿宁
(51)Int.CI
H01L21/8246
H01L27/112
(54)发明名称
(57)摘要
本发明是有关于一种非挥发性记忆元件及其制造方法。该非挥发性记忆元件的制造方法是先在基底中形成多个沟渠；并于沟渠中填入第一导体层，以做为埋入式位元线；接着，在基底上形成电荷储存层，覆盖基底表面以及第一导体层的表面；之后，在上述电荷储存层上形成第二导体层，以做为字元线。该非挥发性记忆元件包括多数个具有掺杂的第一导体层、基底、一电荷储存层及多数个第二导体层。本发明非挥发性记忆元件及其制造方法可以避免聚合物残留造成字元线直接与位元线的掺杂区接触所导致的短路问题。 | |
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法律状态
权 利 要 求 说 明 书
1.一种非挥发性记忆元件的制造方法，其特征在于其包括以下步骤：
在一基底中形成多数个沟渠；
在该些沟渠中分别形成一第一导体层，以做为多数个埋入式位元线；
在该基底上形成一电荷储存层，覆盖该基底表面以及该些第一导体层层的表面；以及
在该电荷储存层上形成多数个第二导体层，以做为多数个字元线。
2.根据权利要求1所述的非挥发性记忆元件的制造方法，其特征在于其中所述的该些第一导体
层具有掺杂，且该方法更包括使该些第一导体层中一部份的掺杂扩散至该些第一导体层周围的该基底中，以形成多数个扩散区，与该些第一导体层共同做为该些埋入式位元线。
3.根据权利要求2所述的非挥发性记忆元件的制造方法，其特征在于其中使该些第一导体层中一部份的掺杂扩散至该些第一导体层周围的该基底中的步骤，是与在该基底上形成该电荷储存层的步骤同时进行的。
4.根据权利要求1所述的非挥发性记忆元件的制造方法，其特征在于其中所述的电荷储存层的形成方法包括：
在该基底上形成一底氧化物层；
在该底氧化层上形成一氮化物层；以及
在该氮化物层上形成一顶氧化物层。
5.根据权利要求1所述的非挥发性记忆元件的制造方法，其特征在于其中所述的底氧化物层/该氮化物层/该顶氧化物层包括氧化硅层/氮化硅层/氧化硅层。
6.根据权利要求1所述的非挥发性记忆元件的制造方法，其特征在于其中所述的具有掺杂的该第一导体层的形成方法包括沈积一多晶硅层，并在临场进行掺杂，以形成一掺杂多晶硅层。
7.根据权利要求1所述的非挥发性记忆元件的制造方法，其特征在于其中所述的第二导体层的形成方法包括：
在该电荷储存层上形成一掺杂多晶硅层；以及
在该掺杂多晶硅层上形成一金属硅化物层。
8.一种非挥发性记忆元件，其特征在于其包括：
多数个具有掺杂的第一导体层埋入于一基底中，该些具有掺杂的导体层的材质与该基底的材质不相同，用以做为多数个埋入式位元线；
一电荷储存层，直接覆盖该基底上以及该多数个具有掺杂的第一导体层上；以及
多数个第二导体层，直接覆盖于该电荷储存层上，用以做为多数个字元线。
9.根据权利要求8所述的非挥发性记忆元件，其特征在于其中所述的该些字元线不与该些位元线平行。
10.根据权利要求8所述的非挥发性记忆元件，其特征在于其更包括多数个扩散区，分别位于该些具有掺杂的第一导体层周围的该基底中，其与该些具有掺杂的第一导体层共同做为该些埋入式位元线。
11.根据权利要求8所述的非挥发性记忆元件，其特征在于其中所述的电荷储存层包括：
一底氧化物层，位于该基底上；
一氮化物层，位在该底氧化层上；以及
一顶氧化物层，位在该氮化物层上。
豫公网安备41160202000603
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