专利类型：发明专利
发明人：钟绵增，吴宗泽，孟秀清，李庆跃，李凯，李京波申请号：CN201310087975.8
申请日：20130319
公开号：CN103147105A
公开日：
20130612
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明涉及一种制备热电材料的方法，特别是一种电化学制备ZnSb薄膜的方法，具体是：利用化学清洗剂将ITO玻璃清洗干净，作为工作电极；将SbCl和Zn(NO）·6HO（或ZnCl）分别溶解在有机溶剂中，并将溶解后的两溶液混合，使SbCl：Zn(NO）·6HO（或ZnCl）的范围介于1:1-1:4；利用Pt片作为对电极，饱和氯化银电极作为参比电极，用焊接有铜导线的ITO玻璃作为工作电极，连接好设备进行电化学沉积；将沉积好的薄膜用清洗液清洗并用氮气吹干，得到ZnSb薄膜。本发明简单易行，制备出的ZnSb薄膜质量好，制备过程中不需要苛刻的实验条件，非常有利于推广。
申请人：黄山市东晶光电科技有限公司
地址：245000 安徽省黄山市屯溪区九龙低碳经济园区迎宾大道168号
国籍：CN
代理机构：金华科源专利事务所有限公司
代理人：胡杰平
豫公网安备41160202000603
站长QQ:729038198
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