具有应力介质层的横向双扩散半导体场效应晶体管及其制作方法

(19)中华人民共和国国家知识产权局

	(12)发明专利说明书
		(10)申请公布号 CN 114464682 A (43)申请公布日 2022.05.10

(21)申请号 CN202210198842.7

(22)申请日 2022.03.02

(71)申请人西安电子科技大学

地址 710071 陕西省西安市太白南路2号

(72)发明人段宝兴李明哲杨银堂

(74)专利代理机构

代理人

(51)Int.CI

H01L29/78

H01L29/423

H01L21/336

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称

具有应力介质层的横向双扩散半导体场效应晶体管及其制作方法

(57)摘要

本发明公开了一种具有应力介质层的横向双扩散半导体场效应晶体管及其制作方法。该器件在衬底上半部分设置部分折叠状结构；折叠漂移区表面淀积应力介质层，应力介质层表面覆盖延伸栅电极，位于应力介质层上方的平面延伸栅电极与平面漏区消除全折叠结构拐角处的电场集中，避免在拐角处发生提前击穿，器件的击穿电压提高。应力介质层通过三个面两个维度向漂移区施加沿X方向的积极应力，该积极应力在漂移区内叠加从而诱导漂移区内载流子迁移率提高；同时，器件在关断状态时，漂移区最优掺杂浓度提高；在开启状态时，漂移区表面形成载流子积累层，载流子积累层能够作为低阻电流通路减小器件的比导通电阻。

法律状态

法律状态公告日	法律状态信息	法律状态
2022-05-10	公开	发明专利申请公布
2022-05-27	实质审查的生效IPC(主分类):H01L29/78专利申请号:2022101988427申请日:20220302	实质审查的生效