一种基于MOS管的大电流低压差二极管等效电路

(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN109450416A(43)申请公布日 2019.03.08
(21)申请号 CN201811219275.9
(22)申请日 2018.10.19
(71)申请人 福建和盛高科技产业有限公司
    地址 361001 福建省厦门市思明区湖滨西路9号6A-4室
(72)发明人 丁茂林;陈珂
(74)专利代理机构 福州元创专利商标代理有限公司
    代理人 蔡学俊
(51)Int.CI
权利要求说明书  说明书  幅图
(54)发明名称
    一种基于MOS管的大电流低压差二极管等效电路
(57)摘要
    本发明涉及一种基于MOS管的大电流低压差二极管等效电路。通过采用大功率MOS管的较低的导通阻抗进行二极管的设计。优点在于功率可以做很大,且整个电路发热小,电气性能优于肖特基二极管特性,整个电路成本低。
法律状态
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-03-08
公开
公开
2019-03-08
公开
公开
2019-04-02
实质审查的生效
实质审查的生效

权利要求说明书
一种基于MOS管的大电流低压差二极管等效电路的权利要求说明书内容是....

说明书
一种基于MOS管的大电流低压差二极管等效电路的说明书内容是....

本文发布于:2024-09-20 14:51:09,感谢您对本站的认可!

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