化学机械研磨后残留物的去除方法[发明专利]

专利名称:化学机械研磨后残留物的去除方法专利类型:发明专利
发明人:张斐尧,李福洪,杜应提,薛景星
申请号:CN200610119134.0
申请日:20061205
公开号:CN101197268A
公开日:
20080611
专利内容由知识产权出版社提供
摘要:一种化学机械研磨后残留物的去除方法,包括:提供一半导体晶片;用含有氧化剂和研磨剂的研磨液对所述半导体晶片表面进行化学机械研磨;用酸性溶液对所述半导体晶片表面进行清洗。该方法能够去除研磨后的污染物残留。
申请人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
地址:201203 上海市浦东新区张江路18号
国籍:CN
代理机构:北京集佳知识产权代理有限公司
代理人:逯长明

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标签:研磨   半导体   机械   化学   晶片   去除   方法   专利
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