[19]
中华人民共和国国家知识产权局
[12]发明专利申请公开说明书
[11]公开号CN 1432858A [43]公开日2003年7月30日
[21]申请号03104197.3[21]申请号03104197.3[22]申请日93.12.9[30]优先权
[32]1992.12.09 [33]JP [31]351916/1992
[32]1993.01.18 [33]JP [31]23289/1993
[62]分案原申请数据
93121131.X 1993.12.09
地址日本神奈川县厚木市
[72]发明人宫崎稔 A·村上 崔葆春 山本睦夫
[74]专利代理机构中国专利代理(香港)有限公司
代理人张志醒[51]Int.CI 7G02F 1/136G02F 1/1343H01L 21/3205
权利要求书 7 页 说明书 15 页 附图 12 页
[54]发明名称
电子电路
[57]摘要
一种在绝缘基片上形成的电子电路，它具有由
半导体层构成的薄膜晶体管(TFTS)。半导体层的厚
度小于1500，例如在100－750之间。在半导体
层上形成主要由钛和氮构成的第一层。在所说的第
一层上面形成由铝构成的第二层。将此第一和第二
面实质上完全与第一层紧密接触。互连线与该半导
体层有良好的接触。
03104197.3权 利 要 求 书第1/7页
在基片上的一薄膜晶体管和一栅极，在它们之间插入一栅绝缘膜，而所述薄膜晶体管由半导体层构成；和
一个由导电氧化物膜构成的象素电极，它通过电极电连接到半导体层，该电极具有层状结构，它包括：与半导体层接触的第一导电层，在第一导电层上形成的第二导电层，和在第二导电层上形成并与所述象素电极接触的第三导电层， 其中，第一导电层包括钛，第二导电层包括铝，而第三导电层包括钛。
2.按照权利要求1所述的显示器件，其特征在于，所述半导体层包括结晶硅。 3.按照权利要求1所述的显示器件，其特征在于，所述第一导电层包括氮化钛。
4.按照权利要求1所述的显示器件，其特征在于，所述第二导电层包括含1％硅的铝。
5.按照权利要求1所述的显示器件，其特征在于，所述第三导电层包括氮化钛。
6.按照权利要求1所述的显示器件，其特征在于，所述第二导电层具有2000或更大的厚度。
7.按照权利要求1所述的显示器件，其特征在于，所述栅极由选自以下组别中的至少一种构成，该组别包括：铝、硅、钛、钽、钨和钼。
8.按照权利要求1所述的显示器件，其特征在于，所述栅极在所述半导体层上形成。
9.按照权利要求1所述的显示器件，其特征在于，所述显示器件是一种有源矩阵型液晶显示器件。
10.一种显示器件，它包括：
在基片上的一薄膜晶体管和一栅极，在它们之间插入一栅绝缘膜，而所述薄膜晶体管由半导体层构成；和
一个由铟锡氧化物构成的象素电极，它通过电极电连接到半导
体层，该电极具有层状结构，它包括：与半导体层接触的第一导电层，在第一导电层上形成的第二导电
层，和在第二导电层上形成并与所述象素电极接触的第三导电层，
其中，第一导电层包括钛，第二导电层包括铝，而第三导电层包括钛。
11.按照权利要求10所述的显示器件，其特征在于，所述半导体层包括结晶硅。
12.按照权利要求10所述的显示器件，其特征在于，所述第一导电层包括氮化钛。
13.按照权利要求10所述的显示器件，其特征在于，所述第二导电层包括含1％硅的铝。
14.按照权利要求10所述的显示器件，其特征在于，所述第三导电层包括氮化钛。
15.按照权利要求10所述的显示器件，其特征在于，所述第二导电层具有2000或更大的厚度。
16.按照权利要求10所述的显示器件，其特征在于，所述栅极由选自以下组别中的至少一种构成，该组别包括：铝、硅、钛、钽、钨和钼。
17.按照权利要求10所述的显示器件，其特征在于，所述栅极在所述半导体层上形成。
18.按照权利要求10所述的显示器件，其特征在于，所述显示器件是一种有源矩阵型液晶显示器件。
19.一种显示器件，它包括：
在基片上的一薄膜晶体管和一栅极，在它们之间插入一栅绝缘膜，而所述薄膜晶体管由厚度小于1500的半导体层构成； 一个由导电氧化物膜构成的象素电极，它通过电极电连接到半导体层，该电极具有层状结构，它包括：与半导体层接触的第一导电层，在第一导电层上形成的第二导电层，和在第二导电层上形成并与所述象素电极接触的第三导电层，
其中，第一导电层包括钛，第二导电层包括铝，而第三导电层包括钛。
20.按照权利要求19所述的显示器件，其特征在于，所述半导
体层包括结晶硅。
21.按照权利要求19所述的显示器件，其特征在于，所述第一导电层包括氮化钛。
22.按照权利要求19所述的显示器件，其特征在于，所述第二导电层包括含1％硅的铝。
23.按照权利要求19所述的显示器件，其特征在于，所述第三导电层包括氮化钛。
24.按照权利要求19所述的显示器件，其特征在于，所述第二导电层具有2000或更大的厚度。
25.按照权利要求19所述的显示器件，其特征在于，所述栅极由选自以下组别中的至少一种构成，该组别包括：铝、硅、钛、钽、钨和钼。
26.按照权利要求19所述的显示器件，其特征在于，所述栅极在所述半导体层上形成。
27.按照权利要求19所述的显示器件，其特征在于，所述显示器件是一种有源矩阵型液晶显示器件。
28.一种显示器件，它包括：
在基片上的一薄膜晶体管和一栅极，在它们之间插入一栅绝缘膜，而所述薄膜晶体管由半导体层构成；和
一个由导电氧化物膜构成的象素电极，它通过电极电连接到半导体层，该电极具有层状结构，它包括：与半导体层接触的第一导电层，在第一导电层上形成的第二导电层，和在第二导电层上形成并与所述象素电极接触的第三导电层，
其中，第一导电层包括钛，第二导电层包括厚度为5000或更小的铝，而第三导电层包括钛。
29.按照权利要求28所述的显示器件，其特征在于，所述半导体层包括结晶硅。
30.按照权利要求28所述的显示器件，其特征在于，所述第一导电层包括氮化钛。
31.按照权利要求28所述的显示器件，其特征在于，所述第二导电层包括含1％硅的铝。
32.按照权利要求28所述的显示器件，其特征在于，所述第三
导电层包括氮化钛。
33.按照权利要求28所述的显示器件，其特征在于，所述第二导电层具有2000或更大的厚度。
34.按照权利要求28所述的显示器件，其特征在于，所述栅极由选自以下组别中的至少一种构成，该组别包括：铝、硅、钛、钽、钨和钼。
35.按照权利要求28所述的显示器件，其特征在于，所述栅极在所述半导体层上形成。
36.按照权利要求28所述的显示器件，其特征在于，所述显示器件是一种有源矩阵型液晶显示器件。
37.一种显示器件，它包括：
在基片上的一薄膜晶体管和一栅极，在它们之间插入一栅绝缘膜，而所述薄膜晶体管由厚度小于1500的半导体层构成； 一个由铟锡氧化物构成的象素电极，它通过电极电连接到半导体层，该电极具有层状结构，它包括：与半导体层接触的第一导电层，在第一导电层上形成的第二导电层，和在第二导电层上形成并与所述象素电极接触的第三导电层，
其中，第一导电层包括钛，第二导电层包括铝，而第三导电层包括钛。
38.按照权利要求37所述的显示器件，其特征在于，所述半导体层包括结晶硅。
39.按照权利要求37所述的显示器件，其特征在于，所述第一导电层包括氮化钛。
40.按照权利要求37所述的显示器件，其特征在于，所述第二导电层包括含1％硅的铝。
41.按照权利要求37所述的显示器件，其特征在于，所述第三导电层包括氮化钛。
42.按照权利要求37所述的显示器件，其特征在于，所述第二导电层具有2000或更大的厚度。
43.按照权利要求37所述的显示器件，其特征在于，所述栅极由选自以下组别中的至少一种构成，该组别包括：铝、硅、钛、钽、钨和钼。
豫公网安备41160202000603
站长QQ:729038198
关于我们
投诉建议