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一种PERC电池PECVD镀膜不良片的返工清洗方法[发明专利]

专利名称：一种PERC电池PECVD镀膜不良片的返工清洗方法专利类型：发明专利

发明人：王英杰，何跃，宋飞飞，任勇

申请号：CN202011581263.8

申请日：20201228

公开号：CN112670166A

公开日：

20210416

专利内容由知识产权出版社提供

摘要：本发明提供了一种PERC电池PECVD镀膜不良片的返工清洗方法，所述方法包括：将待返工镀膜不良片采用碱溶液进行清洗，去除硅片表面的多晶硅层；将清洗后的不良片采用含的酸液进行清洗，去除镀膜层；清洗镀膜层后的不良片再次采用碱溶液清除表面损伤，得到清洗后的硅片。本发明采用合适的工艺组合依次处理硅片上的多晶硅层、镀膜层以及表面损伤，使得清洗后硅片表面整洁光亮，外观和性能正常，以达到不良片返工的最佳效果，再次使用时其电池转换效率几乎与正常电池相同；所述方法主要针对硅片在镀膜过程中因故障而形成的杂质膜层难以去除的问题，有效解决了因此类故障而形成的不良片难以返工使用，只能报废处理的问题。

申请人：横店集团东磁股份有限公司

地址：322118 浙江省金华市东阳市横店镇工业区

国籍：CN

代理机构：北京品源专利代理有限公司

代理人：巩克栋

本文发布于:2024-09-20 12:16:49，感谢您对本站的认可！

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