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...半导体内建电场调控的PN结太阳能电池及其制备方法[发明专利]_百度文...

专利名称：一种石墨烯/半导体内建电场调控的PN结太阳能电池及其制备方法

专利类型：发明专利

发明人：林时胜，姚天易，陆阳华，延燕飞，杨尊山

申请号：CN202010525788.3

申请日：20200610

公开号：CN111755534B

公开日：

20220311

专利内容由知识产权出版社提供

摘要：本发明公开了一种石墨烯/半导体内建电场调控的PN结太阳能电池及其制备方法，该太阳能电池自下而上依次包括：背面电极、半导体PN结衬底、石墨烯、正面电极和外部电场调控层，所述外部电场调控层与石墨烯接触。本发明的太阳能电池利用石墨烯/半导体异质结具有强内建电场的特点，利用此强内建电场加速PN结中的光生载流子分离，减少载流子在半导体PN结界面处的复合从而显著提高太阳能电池的光电转换效率。且器件在制作完成之后依然可以通过外部电场调控进行性能调节。本发明的石墨烯/半导体异质内建电场调控的PN结太阳能电池具有性能可调、转化效率高、工艺简单、便于推广的特点。

申请人：浙江大学

地址：310058 浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号

国籍：CN

代理机构：杭州求是专利事务所有限公司

本文发布于:2024-09-20 12:05:21，感谢您对本站的认可！

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