(12)发明专利说明书 | ||
(10)申请公布号 CN 113564689 A (43)申请公布日 2021.10.29 | ||
权利要求说明书 说明书 幅图 |
本发明提供了一种铸造类单晶用籽晶的重复利用方法,包括:(1)将类单晶硅锭的开方尺寸相同的单晶硅籽晶拼接铺设在坩埚底部,形成籽晶层;并利用该籽晶层制得类单晶硅锭;(2)将类单晶硅锭的底面朝上,将底面上的籽晶拼接缝用缝隙标记线标出,并使其延伸至类单晶硅锭的四个侧面;对类单晶硅锭开方得到多个第一硅块,且在开方前使开方钢线与籽晶拼接缝对齐,将第一硅块对应坩埚底部和开口的两个端面打磨平整后,再切割掉其上的籽晶区域,得到回收后的多块单晶硅籽晶,并标记每块的类型;(3)将步骤(2)得到的籽晶按步骤(1)的方法进行再利用。该方法可实现籽晶的多次高质量重复利用,降低了铸造类单晶的籽晶成本。 | |
法律状态公告日 | 法律状态信息 | 法律状态 |
2021-10-29 | 公开 | 公开 |
2021-11-16 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 |
2023-07-04 | 发明专利申请公布后的驳回IPC(主分类):C30B11/00专利申请号:2020103577139申请公布日:20211029 | 发明专利申请公布后的驳回 |
本文发布于:2024-09-20 14:30:07,感谢您对本站的认可!
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