(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 202010003476.6
(22)申请日 2020.01.02
(71)申请人 北京半导体专用设备研究所（中国
电子科技集团公司第四十五研究
所）
地址 100176 北京市北京经济技术开发区
泰河三街1号
(72)发明人 左宁 高慧莹 党景涛
(74)专利代理机构 北京超凡宏宇专利代理事务
所(特殊普通合伙) 11463
代理人 徐丽
(51)Int.Cl.
G06T 7/00(2017.01)
(54)发明名称
(57)摘要
本发明提供了检测设备的图像校准方法和
装置，包括：获取模板图像在第一图像中的初始
纵向电机的实际初始位置坐标；当横向电机驱动
CCD水平移动第一预设距离时，根据横向电机的
实际初始位置坐标、横向电机水平移动后的位置
坐标、初始横向坐标和模板图像在第二图像中的
横向位置坐标，得到水平方向的图像像素脉冲
比；当纵向电机驱动CCD垂直移动第二预设距离
时，根据纵向电机的实际初始位置坐标、纵向电
机垂直移动后的位置坐标、初始纵向坐标和纵向
电机垂直移动后的位置坐标，得到竖直方向的图
像像素脉冲比；从而对测试基板进行校准，提高
校准的准确率。权利要求书3页 说明书9页 附图2页CN 111192259 A 2020.05.22
C N 111192259
A
1.一种检测设备的图像校准方法，其特征在于，所述方法包括：
从电荷耦合器件CCD采集的测试基板的第一图像中选取模板图像；
获取所述模板图像在所述第一图像中的初始位置坐标，所述初始位置坐标包括初始横向坐标和初始纵向坐标；
获取横向电机的实际初始位置坐标和纵向电机的实际初始位置坐标；
当所述横向电机驱动所述CCD水平移动第一预设距离时，通过所述CCD采集所述测试基板的第二图像；
获取所述模板图像在所述第二图像中的横向位置坐标和所述横向电机水平移动后的位置坐标；
根据所述横向电机的实际初始位置坐标、所述横向电机水平移动后的位置坐标、所述初始横向坐标和所述模板图像在所述第二图像中的横向位置坐标，得到水平方向的图像像素脉冲比；
当所述纵向电机驱动所述CCD垂直移动第二预设距离时，通过所述CCD采集所述测试基板的第三图像；
获取所述模板图像在所述第三图像中的纵向位置坐标和所述纵向电机垂直移动后的位置坐标；
根据所述纵向电机的实际初始位置坐标、所述纵向电机垂直移动后的位置坐标、所述初始纵向坐标和所述纵向电机垂直移动后的位置坐标，得到竖直方向的图像像素脉冲比；
根据所述水平方向的图像像素脉冲比和所述竖直方向的图像像素脉冲比对所述测试基板进行校准。
2.根据权利要求1所述的检测设备的图像校准方法，其特征在于，所述从电荷耦合器件CCD采集的测试基板的第一图像中选取模板图像，包括：
通过所述CCD采集所述测试基板的第一图像；
从所述第一图像中选取基准图像，并将所述基准图像作为所述模板图像。
3.根据权利要求1所述的检测设备的图像校准方法，其特征在于，所述根据所述横向电机的实际初始位置
坐标、所述横向电机水平移动后的位置坐标、所述初始横向坐标和所述模板图像在所述第二图像中的横向位置坐标，得到水平方向的图像像素脉冲比，包括：根据下式计算所述水平方向的图像像素脉冲比：
其中，PixelToPluseX为所述水平方向的图像像素脉冲比，X为横向电机的实际初始位置坐标，X'为所述横向电机水平移动后的位置坐标，a为所述初始横向坐标，a'为所述模板图像在所述第二图像中的横向位置坐标。
4.根据权利要求1所述的检测设备的图像校准方法，其特征在于，所述根据所述纵向电机的实际初始位置坐标、所述纵向电机垂直移动后的位置坐标、所述初始纵向坐标和所述纵向电机垂直移动后的位置坐标，得到竖直方向的图像像素脉冲比，包括：根据下式计算所述竖直方向的图像像素脉冲比：
其中，PixelToPluseY为所述竖直方向的图像像素脉冲比，Y为所述纵向电机的实际初始位置坐标，Y'为所述纵向电机垂直移动后的位置坐标，b为所述初始纵向坐标，b'为所述纵向电机垂直移动后的位置坐标。
5.一种检测设备的图像校准装置，其特征在于，所述装置包括：
选取单元，用于从电荷耦合器件CCD采集的测试基板的第一图像中选取模板图像；
初始位置坐标获取单元，用于获取所述模板图像在所述第一图像中的初始位置坐标，所述初始位置坐标包括初始横向坐标和初始纵向坐标；
电机实际初始位置坐标获取单元，用于获取横向电机的实际初始位置坐标和纵向电机的实际初始位置坐标；
第二图像采集单元，用于当所述横向电机驱动所述CCD水平移动第一预设距离时，通过所述CCD采集所述测试基板的第二图像；
水平移动位置坐标获取单元，用于获取所述模板图像在所述第二图像中的横向位置坐标和所述横向电机水平移动后的位置坐标；
水平方向图像像素脉冲比计算单元，用于根据所述横向电机的实际初始位置坐标、所述横向电机水平移动后的位置坐标、所述初始横向坐标和所述模板图像在所述第二图像中的横向位置坐标，得到水平方向的图像像素脉冲比；
第三图像采集单元，用于当所述纵向电机驱动所述CCD垂直移动第二预设距离时，通过所述CCD采集所述测试基板的第三图像；
垂直移动位置坐标获取单元，用于获取所述模板图像在所述第三图像中的纵向位置坐标和所述纵向电机垂直移动后的位置坐标；
竖直方向图像像素脉冲比计算单元，用于根据所述纵向电机的实际初始位置坐标、所述纵向电机垂直移动后的位置坐标、所述初始纵向坐标和所述纵向电机垂直移动后的位置坐标，得到竖直方向的图像像素脉冲比；
校准单元，用于根据所述水平方向的图像像素脉冲比和所述竖直方向的图像像素脉冲比对所述测试基板进行校准。
6.根据权利要求5所述的检测设备的图像校准装置，其特征在于，所述选取单元具体用于：
通过所述CCD采集所述测试基板的第一图像；
从所述第一图像中选取基准图像，并将所述基准图像作为所述模板图像。
7.根据权利要求5所述的检测设备的图像校准装置，其特征在于，所述水平方向图像像素脉冲比计算单元具体用于：
根据下式计算所述水平方向的图像像素脉冲比：
其中，PixelToPluseX为所述水平方向的图像像素脉冲比，X为横向电机的实际初始位置坐标，X'为所述横向电机水平移动后的位置坐标，a为所述初始横向坐标，a'为所述模板
图像在所述第二图像中的横向位置坐标。
8.根据权利要求5所述的检测设备的图像校准装置，其特征在于，所述竖直方向图像像素脉冲比计算单元具体用于：
根据下式计算所述竖直方向的图像像素脉冲比：
其中，PixelToPluseY为所述竖直方向的图像像素脉冲比，Y为所述纵向电机的实际初始位置坐标，Y'为所述纵向电机垂直移动后的位置坐标，b为所述初始纵向坐标，b'为所述纵向电机垂直移动后的位置坐标。
9.一种电子设备，包括存储器、处理器，所述存储器上存储有可在所述处理器上运行的计算机程序，其特征在于，所述处理器执行所述计算机程序时实现上述权利要求1至4任一项所述的方法。
10.一种具有处理器可执行的非易失的程序代码的计算机可读介质，其特征在于，所述程序代码使所述处理器执行所述权利要求1至4任一项所述的方法。
检测设备的图像校准方法和装置技术领域
[0001]本发明涉及半导体设备检测技术领域，尤其是涉及检测设备的图像校准方法和装置。
背景技术
[0002]目前，半导体设备对各类电子元器件进行电性能检测时，通过带有刻度网格的方形标尺进行校准，具体为：将方形标尺放置在CCD(Charge Coupled Device，电荷耦合器件)下方，CCD获取标尺图像后，通过标尺图像观察到方形标尺内的一个网格在标尺图像内填充了多少个像素点，然后根据像素点总数与距离的比值得到图像像素脉冲比，其中，距离是指方形标尺中一个方格的长和宽，距离可以设定为已知的，例如距离为10mm。即在标尺图像上查看10mm的距离内包括多少个像素点。上述方式是通过人眼进行观察，误差比较高，校准的准确率低。
发明内容
[0003]有鉴于此，本发明的目的在于提供检测设备的图像校准方法和装置，可以对测试基板进行准确校准，提高校准的准确率。
[0004]第一方面，本发明实施例提供了检测设备的图像校准方法，所述方法包括：
[0005]从电荷耦合器件CCD采集的测试基板的第一图像中选取模板图像；
[0006]获取所述模板图像在所述第一图像中的初始位置坐标，所述初始位置坐标包括初始横向坐标和初始纵向坐标；
[0007]获取横向电机的实际初始位置坐标和纵向电机的实际初始位置坐标；
[0008]当所述横向电机驱动所述CCD水平移动第一预设距离时，通过所述CCD采集所述测试基板的第二图像；
[0009]获取所述模板图像在所述第二图像中的横向位置坐标和所述横向电机水平移动后的位置坐标；
[0010]根据所述横向电机的实际初始位置坐标、所述横向电机水平移动后的位置坐标、所述初始横向坐标和所述模板图像在所述第二图像中的横向位置坐标，得到水平方向的图像像素脉冲比；
[0011]当所述纵向电机驱动所述CCD垂直移动第二预设距离时，通过所述CCD采集所述测试基板的第三图像；
[0012]获取所述模板图像在所述第三图像中的纵向位置坐标和所述纵向电机垂直移动后的位置坐标；
[0013]根据所述纵向电机的实际初始位置坐标、所述纵向电机垂直移动后的位置坐标、所述初始纵向坐标和所述纵向电机垂直移动后的位置坐标，得到竖直方向的图像像素脉冲比；
[0014]根据所述水平方向的图像像素脉冲比和所述竖直方向的图像像素脉冲比对所述
说 明 书
1/9页CN 111192259 A
豫公网安备41160202000603
站长QQ:729038198
关于我们
投诉建议