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一种肖特基结的单面电极晶体硅太阳能电池及其制备方法[发明专利]

专利名称：一种肖特基结的单面电极晶体硅太阳能电池及其制备方法

专利类型：发明专利

发明人：张宏勇，刘莹

申请号：CN201010141603.5

申请日：20100407

公开号：CN101814540A

公开日：

20100825

专利内容由知识产权出版社提供

摘要：本发明公开了肖特基结的单面电极晶体硅太阳能电池，N型基片背光面上设置有与所述N型基片构成肖特基结的负电极以及与所述负电极形状适配的正电极，所述正电极与所述N型基片形成欧姆接触；所述负电极与所述正电极之间存有间隙。本发明还公开了制备方法，包括：将N型基片织构化，并在受光面镀钝化层、反射层；在N型基片背光面丝印铝负电极，所述铝负电极为栅状或者梳状；用强激光对铝负电极进行照射，使铝渗入晶片内形成肖特基结；在N型基片背光面与铝负极相交错丝印相同形状的金属正电极，形成电池的正电极；烧结N型基片，使金属正电极与N型基片的背光面形成欧姆接触。这种电池正面无遮挡，可多接收10％～20％的阳光。

申请人：江苏华创光电科技有限公司

地址：214213 江苏省宜兴市宜兴经济开发区文庄路8号创意软件大厦4楼

国籍：CN

代理机构：南京苏高专利商标事务所(普通合伙)

代理人：肖明芳

本文发布于:2024-09-20 17:21:36，感谢您对本站的认可！

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