发明人:吴楠,冯骏
申请号:CN201310164838.X 申请日:20130507
公开号:CN104143552A
公开日:
20141112
专利内容由知识产权出版社提供
摘要:本发明公开了一种电子捕获存储单元,包含沟道(26)以及相邻两个沟道之间的绝缘层(25),并且还包含沟道控制栅(27),位于绝缘层(25)中,并且为电的良导体。本发明通过加入沟道控制栅,控制一条物理意义上的沟道靠近沟道控制栅的两侧,即第一存储单元和第二存储单元分别打开和关闭,这样一个现有技术的存储单元可以存储两位信息,因此,存储密度变高,单位存储成本降低。 申请人:北京兆易创新科技股份有限公司
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国籍:CN
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代理人:马晓亚