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一种在透射电子显微镜中原位施加应力的方法[发明专利]

专利名称：一种在透射电子显微镜中原位施加应力的方法专利类型：发明专利

发明人：车仁超，杨利廷，游文彬，裴科，李晓，张捷

申请号：CN202110295996.3

申请日：20210319

公开号：CN113125475B

公开日：

20220401

专利内容由知识产权出版社提供

摘要：本发明涉及一种在透射电子显微镜中原位施加应力的方法，基于自主设计的原位四电极电学芯片，利用聚焦离子束刻蚀加工技术，将测试材料与典型压电晶体材料组装成微米级条带；使用聚焦离子束中沉积的铂连接测试材料与芯片上的两个电极，也将另外两个电极连接到压电陶瓷材料两端；使用原位样品杆将测试样品放入透射电镜中，对压电晶体施加电压，利用其特有的压电效应实现对测试样品定量施加压应力/拉应力，同时记录应力对于测试材料电学性能、电化学性能、磁学性能等影响。该方法制备样品简单，施加应力精确可控，可同时对样品施加拉应力和压应力，具有很好的普适性，为研究材料中应力与性能之间的关联性提供新的方法。

申请人：复旦大学

地址：200433 上海市杨浦区邯郸路220号

国籍：CN

代理机构：上海科盛知识产权代理有限公司

代理人：刘燕武

本文发布于:2024-09-20 11:37:26，感谢您对本站的认可！

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