双大马士革结构成形方法

(19)中华人民共和国国家知识产权局

	(12)发明专利说明书
		(10)申请公布号 CN 114566427 A (43)申请公布日 2022.05.31

(21)申请号 CN202011355394.4

(22)申请日 2020.11.27

(71)申请人中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司

地址 100029 北京市朝阳区北土城西路3号

(72)发明人南兑浩李大烨贺晓彬丁明正刘强杨涛

(74)专利代理机构北京辰权知识产权代理有限公司

代理人金铭

(51)Int.CI

H01L21/027

H01L21/768

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称

双大马士革结构成形方法

(57)摘要

本发明提供的涉及半导体技术领域，尤其是涉及一种双大马士革结构成形方法，包括如下步骤：在介质层上设置一层光刻胶层，在该光刻胶层上设置阻挡层，在该阻挡层上设置另一层光刻胶层，两层所述光刻胶层采用不同的显影技术；对其中一层所述光刻胶层曝光处理，并在曝光后的该光刻胶层和所述阻挡层上显影成像；对另一层所述光刻胶层曝光处理，并在曝光后的该另一层光刻胶层上显影成像。在上述技术方案中，该双大马士革结构成形方法是连续进行两次光刻工艺，光刻工艺后仅需要在进行一次刻蚀工艺即可，减少了操作的步骤，有效降低了产出和设备投资费用，降低了成本。

法律状态

法律状态公告日	法律状态信息	法律状态
2022-05-31	公开	发明专利申请公布
2022-06-17	实质审查的生效IPC(主分类):H01L21/027专利申请号:2020113553944申请日:20201127	实质审查的生效