一种多栅极射频感应耦合离子源

(19)中华人民共和国国家知识产权局

	(12)发明专利说明书
		(10)申请公布号 CN 114360990 A (43)申请公布日 2022.04.15

(21)申请号 CN202111442845.2

(22)申请日 2021.11.30

(71)申请人核工业西南物理研究院;中核同创(成都)科技有限公司

地址 610041 四川省成都市双流西南航空港黄荆路5号

(72)发明人陈庆川黄琪聂军伟赵哲石连天孙振华王丁

(74)专利代理机构核工业专利中心

代理人董和煦

(51)Int.CI

H01J37/08

H01J37/32

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称

一种多栅极射频感应耦合离子源

(57)摘要

本发明属于离子束控制技术领域，具体涉及一种多栅极射频感应耦合离子源。本发明中，等离子体放电室位于射频耦合天线下面，为由电介质耦合窗、放电室侧壁和矩形栅极引出系统的引出栅构成的立方形腔体，等离子体放电室的外部设有离子源屏蔽水冷外壳和安装背板，等离子体放电室的上部和安装背板之间安装有对称放置的天线卡座，两个天线卡座之间设有电介质耦合窗；射频耦合天线安装在天线卡座上，等离子体放电室侧壁与离子源屏蔽水冷外壳之间设有弹性引线系统，等离子体放电室的底部设有矩形栅极引出系统，安装背板的上部安装有引线卡环。本发明能在较大尺寸范围内产生高均匀性准直离子束流，相比二栅和三栅结构，均匀性有极显著的提高。

法律状态