耐等离子体半导体零部件和形成方法、等离子体反应装置

(19)中华人民共和国国家知识产权局

	(12)发明专利说明书
		(10)申请公布号 CN 114496690 A (43)申请公布日 2022.05.13

(21)申请号 CN202011167677.6

(22)申请日 2020.10.27

(71)申请人中微半导体设备(上海)股份有限公司

地址 200120 上海市浦东新区金桥出口加工区(南区)泰华路188号

(72)发明人段蛟杨金全陈星建黄允文

(74)专利代理机构

代理人

(51)Int.CI

H01J37/32

H01L21/67

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称

耐等离子体半导体零部件和形成方法、等离子体反应装置

(57)摘要

本发明涉及半导体加工技术领域，具体公开了耐等离子体腐蚀的半导体零部件的形成方法，包括：提供第一衬底，其内具有贯通的第一通孔；在第一通孔内形成第二衬底；在第一衬底和第二衬底上形成致密的耐腐蚀涂层；对耐腐蚀涂层和第二衬底进行局部加热处理，形成贯穿所述耐腐蚀涂层和第二衬底的第二通孔，并在第二通孔内侧壁形成致密层。本发明方法得到的致密层与第二衬底和耐腐蚀涂层之间的结合力较强，因此，所述致密层在被等离子体轰击时不易被轰击下来形成颗粒污染，因此，有利于降低颗粒污染。

法律状态

法律状态公告日	法律状态信息	法律状态
2022-05-31	实质审查的生效IPC(主分类):H01J37/32专利申请号:2020111676776申请日:20201027	实质审查的生效
2022-05-13	公开	发明专利申请公布