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薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置[发明专利]

专利名称：薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置专利类型：发明专利

发明人：陈小明，赵晓辉，杨倩，施国龙

申请号：CN201880093833.3

申请日：20180530

公开号：CN112470268A

公开日：

20210309

专利内容由知识产权出版社提供

摘要：本发明公开一种薄膜晶体管(10)，包括衬底(11)、有源层(12)、第一接触层(13)、第二接触层(14)、栅极绝缘层(15)、栅极(16)、源极(17)及漏极(18)，所述有源层(12)、所述第一接触层(13)及所述第二接触层(14)设于所述衬底(11)上，所述栅极(16)在所述衬底(11)上的正投影与所述第一接触层(13)在所述衬底(11)上的正投影之间的交叠面积为零，所述栅极(16)在所述衬底(11)上的正投影与所述第二接触层(14)在所述衬底(11)上的正投影之间的交叠面积为零。本发明还公开一种薄膜晶体管的制作方法、阵列基板和显示装置。

申请人：深圳市柔宇科技股份有限公司

地址：518172 广东省深圳市龙岗区横岗街道龙岗大道8288号大运软件小镇43栋

国籍：CN

本文发布于:2024-09-20 14:30:53，感谢您对本站的认可！

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