一种用氧化铝作为原料制作三氯化铝的方法[发明专利]

(10)申请公布号
(43)申请公布日              (21)申请号 201310616105.5
(22)申请日 2013.11.28
C01F 7/56(2006.01)
(71)申请人常州校果信息服务有限公司
地址213000 江苏省常州市常武路588号天
安数码城C 幢
(72)发明人顾晓刚
(74)专利代理机构常州佰业腾飞专利代理事务
所(普通合伙) 32231
代理人黄航飞
(54)发明名称
一种用氧化铝作为原料制作三氯化铝的方法
(57)摘要
本发明涉及一种用氧化铝作为原料制作三氯
化铝的方法,步骤如下:a 、准备原料:氯化钠、氧
化铝粉末、碳粉草酸;b 、将氯化钠放入容器进行
烧熔;c 、当氯化钠温度达到800℃时,将氧化铝粉
末、碳粉和草酸混合后投入氯化钠中,所述氧化铝
粉末、碳粉和草酸的重量比为9:1:1;d 、在氯化
钠中通入,氧化铝、碳粉、、草酸反应生成
三氯化铝,所述三氯化铝受热气化;e 、导出三氯
化铝气体到结晶器内结晶。本发明提供了一种用
氧化铝作为原料制作三氯化铝的方法,其只需使
用少量的还原剂碳,生产成本低,给企业增加了利
润。(51)Int.Cl.
(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请权利要求书1页  说明书2页
(10)申请公布号CN 104671268 A (43)申请公布日2015.06.03
C N 104671268
A
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1.一种用氧化铝作为原料制作三氯化铝的方法,其特征在于步骤如下:a 、准备原料:氯化钠、氧化铝粉末、碳粉、草酸;b 、将氯化钠放入容器进行烧熔;c 、当氯化钠温度达到800℃时,将氧化铝粉末、碳粉和草酸混合后投入氯化钠中,所述氧化铝粉末、碳粉和草酸的重量比为9:1:1;d 、在氯化钠中通入,氧化铝、碳粉、、草酸反应生成三氯化铝,所述三氯化铝受热气化;e 、导出三氯化铝气体到结晶器内结晶。
2.根据权利要求1所述的一种用氧化铝作为原料制作三氯化铝的方法,其特征在于:所述氧化铝、碳粉、和草酸的反应温度保持在600℃~800℃。权  利  要  求  书CN 104671268 A
一种用氧化铝作为原料制作三氯化铝的方法
技术领域
[0001] 本发明涉及一种用氧化铝作为原料制作三氯化铝的方法,属于化工领域。
背景技术
[0002] 现有的制作三氯化铝的方法通常采用与铝反应生成三氯化铝,由于铝的价格较高,直接导致成品三氯化铝的制造成本过高,不利于市场竞争。如果能采用廉价的原料来制作三氯化铝,那么就可以降低制造成本,给企业创造最大的经济利润,使企业在市场竞争中更具优势。
[0003] 虽然很多企业也用氧化铝作为原料,用碳将其中的铝置换出来冷却成铝锭,然后再用铝锭与反应生成三氯化铝,但是采用这种方式需要大量的还原剂碳,而碳的市场价格较高,大大增加了生产成本,如果能提供一种只需少量碳就能制作三氯化铝的方法,那么就能大大减少生产成本,给企业增加利润,使企业在市场竞争中更具优势。
发明内容
[0004] 本发明的目的是克服现有技术存在的缺陷,提供一种用氧化铝作为原料制作三氯化铝的方法,其只需使用少量的还原剂碳。
[0005] 本发明解决其技术问题所采用的技术方案是:一种用氧化铝作为原料制作三氯化铝的方法,步骤如下:a、准备原料:氯化钠、氧化铝粉末、碳粉、草酸;b、将氯化钠放入容器进行烧熔;c、当氯化钠温度达到800℃时,将氧化铝粉末、碳粉和草酸混合后投入氯化钠中,所述氧化铝粉末、碳粉和草酸的重量比为9:1:1;d、在氯化钠中通入,氧化铝、碳粉、、草酸反应生成三氯化铝,所述三氯化铝受热气化;e、导出三氯化铝气体到结晶器内结晶。
[0006] 所述氧化铝、碳粉、和草酸的反应温度保持在600℃~800℃。
[0007] 本发明的有益效果:在熔化的高温氯化钠中投入氧化铝和碳的混合粉末,再在氯化钠中通,使氧化铝、碳、三者在隔绝空气的环境中充分反应,大大降低了碳的用量,在氧化铝和碳的混合粉末中,氧化铝与碳的重量比为9:1,可见碳的用量极少,大大降低了生产成本,给企业增加了利润,使企业在市场竞争中更具优势。
具体实施方式
[0008] 一种用氧化铝作为原料制作三氯化铝的方法,步骤如下:a、准备原料:氯化钠、氧化铝粉末、碳粉、草酸;b、将氯化钠放入容器进行烧熔;c、当氯化钠温度达到800℃时,将氧化铝粉末、碳粉和草酸混合后投入氯化钠中,所述氧化铝粉末、碳粉和草酸的重量比为9:1:1;d、在氯化钠中通入,氧化铝、碳粉、、草酸反应生成三氯化铝,所述三氯化铝受热气化;e、导出三氯化铝气体到
结晶器内结晶。
[0009] 所述氧化铝、碳粉、和草酸的反应温度保持在600℃~800℃。
[0010] 应当理解,以上所描述的具体实施例仅用于解释本发明,并不用于限定本发明。由
本发明的精神所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本发明的保护范围之中。

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