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CMOS图像传感器及其制备方法[发明专利]

专利名称：CMOS图像传感器及其制备方法专利类型：发明专利

发明人：任劤爀

申请号：CN200710308350.4

申请日：20071229

公开号：CN101221967A

公开日：

20080716

专利内容由知识产权出版社提供

摘要：本发明公开了一种能够防止转移晶体管的泄漏电流的CMOS图像传感器及其制备方法。本发明涉及一种包括转移晶体管的互补金属一氧化物-硅(CMOS)图像传感器。该转移晶体管包括在由光敏二极管区、有源区和器件隔离区限定的半导体衬底之上形成的外延层。可以在器件隔离区中形成器件隔离膜。可以在用于转移晶体管的外延层之上形成栅极，且在它们之间插入栅绝缘层。可以通过将第一掺杂剂离子注入到光敏二极管区的外延层中形成第一掺杂剂扩散区。可以在临近栅极的第一掺杂剂扩散区中形成势阱区。可以通过将第二掺杂剂离子注入到栅隔层的侧表面浮动扩散区的外延层中形成第二掺杂剂扩散区。

申请人：东部高科股份有限公司

地址：韩国首尔

国籍：KR

代理机构：北京律诚同业知识产权代理有限公司

代理人：徐金国

本文发布于:2024-09-20 17:44:27，感谢您对本站的认可！

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