[19]
中华人民共和国国家知识产权局
[12]发明专利申请公开说明书
[11]公开号CN 1279489A [43]公开日2001年1月10日
[21]申请号99116249.8[21]申请号99116249.8[22]申请日99.6.24[71]申请人东莞宏明南方电子陶瓷有限公司
地址523077广东省东莞市篁村电子工业开发区
[72]发明人章士瀛 赵俊斌 陈荣春
[74]专利代理机构东莞市专利事务所
代理人李卫平[51]Int.CI 7H01G 4/00H01G 4/12
权利要求书 3 页 说明书 3 页 附图 2 页
[54]发明名称
[57]摘要
半导体陶瓷电容器的基片生产工艺，涉及一种
半导体陶瓷电容器基片的生产工艺，主要通过排胶、
烧成，混合气氛中半导化处理等步骤烧制而成，本发
明因采用氨分解的混合气氛条件下，在组合炉内连
它与国外目前普遍采用在纯H 2、纯N 2的混合气氛条
件下，在间歇式钟罩电炉或者虽在传送式气氛炉内
进行半导化处理，无疑是技术上的一大进步。
99116249.8权 利 要 求 书第1/3页 1．半导体陶瓷电容器的基片生产工艺，包括表面型半导体电容器基片生产工艺品流程为：将配合好的坯料经搅拌机辗轧机进行捏合、辗轧后，在冰冻条件下处理，然后，再经过辗轧机进行辗轧，辗轧完毕后，在挤膜机上挤出带状膜片，带状膜片经过冲膜机后，冲击所需直径的膜片，进行混粉工序后，装入钵体内，由传送带送入排胶、烧成炉内进行排胶、烧成过程，经过该工序后，再由传送带送入混合气氛状况下的半导化处理炉中进行再氧化处理，经过此工序后，坯料则变成半导体陶瓷基片成品；晶粒边界型半导体电容器基片生产工艺流程为：将配合好的坯料经搅拌机、辗轧机进行捏合、辗压后，在冰冻条件下处理，然后，再经辗轧机进行辗轧，辗轧完毕后，在挤膜机上挤出带状膜片，带状膜片经冲膜机后，冲出所需直径的膜片，进行混粉工序后，装入钵体内，由传送带送入排胶炉内进行排胶过程，经过该工序后，再由传送带送入混合气氛状况下的烧成及半导化处理炉中进行晶粒表面金属氧化膜形成的处理，经过此工序后，坯料则变成半导体陶瓷基片成品，其特征在于：
a、表面型半导体基片的排胶、烧成的生产工艺为：
排胶区：炉温从室温升至于1200℃至1400℃，基片在炉体内的移动距离为5．4米，时速为每小时0．3至0．6米；
烧成区：炉温恒定于1200℃至1400℃，基片在炉体内移动的距离为1．4米，时速为每小时0．3米至0．6米；
降温区：炉温从1200℃至1400℃降至200℃至300℃，基片在炉体内移动距离为2．2米，时速为每小时0．3米至0．6米；
b、晶粒边界型基片的排胶生产工艺为：
升温区：炉温从室温升至1000℃至1200℃，基片在炉体内移动的距离为5．65米，时速为每小时0．4米至0．6米；
排胶区：炉温恒定于1000℃至1200℃，基片在炉体内移动1米，时
速为每小时0．4米至0．6米；
降温区：炉温从10000℃至1200℃降至200℃至300℃，基片在炉体内移动2．35米，时速为每小时0．4米至0．6米；
c．表面型半导体基片的半导化生产工艺为：
加温区：炉温从200℃升至400℃，基片在炉体内的移动距离为3．2米，时速为每小时0．3米至0．6米；
升温区：炉温从400℃升至900℃至1200℃，基片在炉体内移动距离为2．8米，时速为每小时0．3米至0．6米；
半导化处理区：炉温恒定于900℃至1200℃，基片在炉体内移动距离为0．8米，时速为每小时0．3米至0．6米；
降温区：炉温从900℃至1200℃降至200℃，基片在炉体内移动距离为2．2米，时速为每小时0．3米至0．6米；
d．晶粒边界型基片的半导化生产工艺为：
加温区：炉温从200℃升至400℃，基片在炉体内移动的距离为3米，时速为0．4米至0．6米；
升温区：炉温从400℃升至1300℃至1500℃，基片在炉体内移动的距离为2．5米，时速为每小时0．4米至0．6米；
烧成及半导化处理区：炉温恒定于1300℃至1500℃，基片在炉体内移动的距离为1．5米，时速为每小时0．4米至0．6米， 降温区：炉温从1300℃至1500℃降至200℃，基片在炉体内移动的距离为2米，时速为每小时0．4米至0．6米。
99116249.8说 明 书第1/3页
半导体陶瓷电容器的基片生产工艺
本发明涉及一种半导体陶瓷电容器基片的生产工艺。 半导体陶瓷电容器由于其体积小，比容大的特点，对优化电子线路，改善整机性能，促进小型化，轻量化，具有重要的作用。然而，目前我国所使用的半导体电容器基片均依赖进口，而国外却无这方面的资料可供查询。
本发明的目的在于提供一种半导体陶瓷电容器基片的生产工艺。
本发明采用氨分解的混合气氛下，在组合炉内连续自动进行半导化处理，适合大规模生产的要求，大大降低了成本，它与国外目前普遍采用在纯H2、纯N2气氛条件下，在间歇式电炉或者虽在传送式气氛炉内进行半导化处理，产量大大提高，无疑是技术上的一大进步。
下面结合附图对本发明进一步说明：
附图1为本发明的半导化处理温度曲线图
附图2为本发明的排胶、烧成温度曲线图
附图3为表面型及晶粒边界型半导体基片生产工艺流程图
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