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一种基于纳米多孔独立电极制备方法[发明专利]

专利名称：一种基于纳米多孔独立电极制备方法

专利类型：发明专利

发明人：张嫚，隋艳伟，张德文，戚继球，委福祥，任耀剑，肖彬，孟庆昆，孙智

申请号：CN202011403357.6

申请日：20201204

公开号：CN112563044A

公开日：

20210326

专利内容由知识产权出版社提供

摘要：本发明公开了一种基于纳米多孔独立电极制备方法，包括以下步骤：(1)将摩尔比为8:9:3或2:2:1，且纯度在99.99％以上的Al、Cu和Fe的金属颗粒分别放在稀Hcl溶液中进行酸洗；(2)熔炼之前将金属Ti锭放在一个水冷铜坩埚中，Al、Cu和Fe的颗粒混合物放入另外一个坩埚中，首先熔炼放有金属Ti锭的坩埚，然后开始对金属颗粒进行磁搅拌真空熔炼；(3)采用线切割将合金锭切割成块状，清除表面油渍，干燥；(4)将干燥后的合金块放入70℃恒温Hcl腐蚀液中，化学脱合金12 h；(5)清洗，干燥。本发明提供的制备方法，增加了离子和电子的快速传质过程，加速了响应动力学，弥补了金属氧化物导电性差的缺陷。极大程度上增加了电极材料的面积比电容，具有比较好的可控性。

申请人：中国矿业大学

地址：221000 江苏省徐州市南郊翟山

国籍：CN

代理机构：徐州创荣知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：陈俊杰

本文发布于:2024-09-21 14:35:39，感谢您对本站的认可！

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