一种用于多结LED的隧穿结、多结LED及其制备方法[发明专利]

专利名称:一种用于多结LED的隧穿结、多结LED及其制备方法
专利类型:发明专利
发明人:萧至宏,彭钰仁,蔡坤煌,王笃祥,张家宏
申请号:CN202080002688.0
申请日:20200219
公开号:CN112219286A
公开日:
20210112
专利内容由知识产权出版社提供
摘要:本发明公开一种用于多结LED的隧穿结、多结LED及其制备方法,所述隧穿结包括:重掺杂P型AlGaAs;AlGaAs渐变层一;重掺杂N型GaInP;AlGaAs渐变层二。使用重掺杂N型GaInP,能够有效减少长波长红外光的吸光效应,提升器件亮度,并且有效降低串联电阻降低电压;同时加入AlGaAs渐变层一和AlGaAs渐变层二,可以有效改善界面质量和晶体生长质量,并且可以实现As、P 有效切换,减小串联电阻,降低工作电压,从而提升光电转换效率。
申请人:天津三安光电有限公司
地址:300384 天津市西青区华苑产业区海泰南道20号
国籍:CN

本文发布于:2024-09-20 08:38:46,感谢您对本站的认可!

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