一种新型银铅硅硫硒薄膜光伏吸收层材料及其制备方法

(19)中华人民共和国国家知识产权局

	(12)发明专利说明书
		(10)申请公布号 CN 113754310 A (43)申请公布日 2021.12.07

(21)申请号 CN202111009492.7

(22)申请日 2021.08.31

(71)申请人河南大学

地址 475000 河南省开封市顺河回族区明伦街85号

(72)发明人齐亚芳赵晓月周文辉周正基寇东星武四新

(74)专利代理机构 41161 郑州豫乾知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人任伟柯

(51)Int.CI

C03C17/22(20060101)

C01B33/00(20060101)

H01L31/032(20060101)

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称

一种新型银铅硅硫硒薄膜光伏吸收层材料及其制备方法

(57)摘要

一种新型的银铅硅硫硒薄膜光伏吸收层材料的制备方法，包括以下步骤：1）配制溶剂混合液；2）制备前驱体溶液；3）Ag2PbSiS4前驱体薄膜的制备，在氩气气氛下，将Ag2PbSiS4前驱体溶液在钙钠玻璃上旋涂预烧得Ag2PbSiS4前驱体薄膜；4）Ag2PbSi(S,Se)4吸收层薄膜的制备将Ag2PbSiS4前驱体薄膜在氩气气氛下高温退火硒化，硒化后，在氩气气氛中冷却至室温，得Ag2PbSi(S,Se)4吸收层薄膜。本发明首次提出Ag2PbSi(S,Se)4材料的制备方法，将Ag2PbSi(S,Se)4材料从理论推导到实际应用，使其不再仅仅局限在理论计算阶段，制备的Ag2PbSi(S,Se)4材料表面致密均匀。

法律状态

法律状态公告日	法律状态信息	法律状态
2021-12-07	公开	公开
2022-05-24	著录事项变更IPC(主分类):C03C17/22专利申请号:2021110094927变更事项:发明人变更前:齐亚芳赵晓月周文辉周正基寇东星武四新变更后:齐亚芳赵肖月周文辉周正基寇东星武四新	著录事项变更
2022-06-10	授权	发明专利权授予