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离子注入过程模拟装置和模拟方法[发明专利]

专利名称：离子注入过程模拟装置和模拟方法专利类型：发明专利

发明人：麻多进，泽畠弘一

申请号：CN98100467.9

申请日：19980227

公开号：CN1195881A

公开日：

19981014

专利内容由知识产权出版社提供

摘要：本发明装置包括：根据离子注入剖面数据制成Dual Pearson数据表的Dual Pearson数据抽出部；从DualPearson数据表取得用于剂量系数的内插和外插参数的内插用Dual Pearson数据取得部；剂量系数内插/外插部，通过分别代表非晶态成分和沟道效应成分的两个函数的线性结合来表述离子注入剖面，同时，使用不依赖于剂量的瞬间参数和依赖于剂量的线性结合的系数，使沟道效应成分剂量系数的对数值对全剂量值的对数值进行内插和外插；输出模拟结果的模拟结果输出部。

申请人：日本电气株式会社

地址：日本东京

国籍：JP

代理机构：中原信达知识产权代理有限责任公司

代理人：穆德骏

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