一种低损耗小体积的肖特基二极管

(19)中华人民共和国国家知识产权局

	(12)发明专利说明书
		(10)申请公布号 CN 114497234 A (43)申请公布日 2022.05.13

(21)申请号 CN202210086720.9

(22)申请日 2022.01.25

(71)申请人先之科半导体科技(东莞)有限公司

地址 523430 广东省东莞市寮步镇寮步百业路70号1栋、2栋

(72)发明人许卫林

(74)专利代理机构

代理人

(51)Int.CI

H01L29/872

H01L23/498

H01L23/367

H01L23/31

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称

一种低损耗小体积的肖特基二极管

(57)摘要

本发明提供了一种低损耗小体积的肖特基二极管，包括绝缘封装壳、肖特基芯片、阴极引脚、阳极引脚，其特征在于，所述绝缘封装壳包括第一封装体、第二封装体、第三封装体，所述肖特基芯片固定在所述第一封装体内侧，所述肖特基芯片、第一封装体上端覆盖有第一ITO导电膜，所述第一ITO导电膜一端延伸至所述第一封装体右侧，所述阳极引脚一端与所述第一ITO导电膜相抵触并且固定在所述第一封装体右侧，所述肖特基芯片、第一封装体下端覆盖有第二ITO导电膜，所述第二ITO导电膜一端延伸至所述第一封装体左侧，所述阴极引脚一端与所述第二ITO导电膜相抵触并且固定在所述第一封装体右侧。本发明的肖特基二极管，具有低损耗、小体积、快速散热的特点。

法律状态

法律状态公告日	法律状态信息	法律状态
2022-05-31	实质审查的生效IPC(主分类):H01L29/872专利申请号:2022100867209申请日:20220125	实质审查的生效
2022-05-13	公开	发明专利申请公布
2022-12-06	授权	发明专利权授予