首页 > 学术百科

一种测量聚变装置第一壁氢同位素渗透的方法[发明专利]

专利名称：一种测量聚变装置第一壁氢同位素渗透的方法专利类型：发明专利

发明人：罗广南，袁小刚，刘皓东，周海山，赵明忠

申请号：CN201811358818.5

申请日：20181115

公开号：CN109612881A

公开日：

20190412

专利内容由知识产权出版社提供

摘要：本发明公开了一种测量聚变装置第一壁氢同位素渗透的方法，首先构建金属样品、真空法兰、热电偶、加热器、阀门、标准漏孔、质谱仪、真空泵组构成的测量系统，测量前首先通过标准漏孔进行检漏，然后通过真空泵组将测量系统抽真空至与聚变装置主机真空一致，最后将测量系统整体置于聚变装置主机中，在等离子辐射过载中通过质谱仪的数据，分析处理得到氢同位素在构成巨变装置第一壁的金属材料样品的渗透参数。本发明可以真实的在聚变装置服役环境辐照，保证数据的准确性，结构简单，具有良好的经济性。

申请人：中国科学院合肥物质科学研究院

地址：230031 安徽省合肥市蜀山湖路350号

国籍：CN

代理机构：安徽合肥华信知识产权代理有限公司

代理人：余成俊

本文发布于:2024-09-20 17:49:37，感谢您对本站的认可！

本文链接：https://www.17tex.com/xueshu/770755.html

上一篇：真空泵十大品牌公司真空泵厂家排名

下一篇：【CN210029207U】一种用于二维材料转移的真空吸附操作杆【专利】