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多晶硅制造装置及利用该装置的多晶硅制造方法[发明专利]

专利名称：多晶硅制造装置及利用该装置的多晶硅制造方法专利类型：发明专利

发明人：丁允燮，金根镐，尹汝均，金镇成

申请号：CN201110294450.2

申请日：20110930

公开号：CN102745693A

公开日：

20121024

专利内容由知识产权出版社提供

摘要：本发明提供一种多晶硅制造装置，包括：反应管，在内部包含硅颗粒；流动气体供应部，向上述反应管内的硅颗粒供应流动气体；气体排出部，排出在上述反应管中产生的气体；压力传感器，安装于上述气体排出部或上述流动气体供应部内；以及颗粒排出口，当上述压力传感器测量的压力大于等于基准压力值时，将在上述反应管内部形成的多晶硅排出到外部。

申请人：硅科创富有限公司

地址：韩国大田市

国籍：KR

代理机构：北京鸿元知识产权代理有限公司

本文发布于:2024-09-20 14:19:26，感谢您对本站的认可！

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