半导体制作工艺的良率预测方法、系统与模型训练装置

(19)中华人民共和国国家知识产权局

	(12)发明专利说明书
		(10)申请公布号 CN 114154386 A (43)申请公布日 2022.03.08

(21)申请号 CN202010927456.8

(22)申请日 2020.09.07

(71)申请人联华电子股份有限公司

地址新竹市

(72)发明人洪世芳

(74)专利代理机构 11105 北京市柳沈律师事务所

代理人陈小雯

(51)Int.CI

G06F30/27(20200101)

G06F30/398(20200101)

G06F30/392(20200101)

G06F30/394(20200101)

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称

半导体制作工艺的良率预测方法、系统与模型训练装置

(57)摘要

本发明公开一种半导体制作工艺的良率预测方法、系统与模型训练装置。半导体制作工艺的良率预测方法包括以下步骤。建构半导体装置的一电路图网表的一电路路径与一集成电路版图的一对应关系。获得半导体装置于数个堆叠层的数个缺陷点。依据此些缺陷点，训练电路路径发生一故障的一识别模型。依据识别模型，识别一半导体半成品于各个堆叠层导致电路路径发生故障的一发生机率。依据发生机率，预测半导体半成品的良率。

法律状态

法律状态公告日	法律状态信息	法律状态
2022-03-08	公开	发明专利申请公布
2022-03-25	实质审查的生效IPC(主分类):G06F30/27专利申请号:2020109274568申请日:20200907	实质审查的生效