专利名称：一种基于SiC和Si器件混合的有源箝位多电平有源电力滤波器 专利类型：发明专利
发明人：彭新，欧阳晖，张高明，刘尚伟，柳明，方芸，林莉，雷阳，杜红彪，许磊，杨辉，谢炜，陈涛，魏华，罗伟，耿攀，徐正喜，蔡
凯，吴浩伟，李锐，，李小谦，姜波，李可维，邢贺鹏，金
惠峰，李兴东，吴大立
申请号：CN201911201017.2
申请日：20191129
公开号：CN110912133A
公开日：
20200324
摘要：本发明涉及一种基于SiC和Si功率开关器件混合的有源箝位多电平拓扑的有源电力滤波器。本发明的基于SiC和Si器件混合的有源箝位多电平有源电力滤波器包括：熔断器、浪涌抑制器、充电电阻、充电开关、交流电抗器、SiC和Si器件混合的有源箝位多电平三相桥、直流母线电容、控制器单元、驱动电路、辅助源电路。本发明的有源箝位多电平有源电力滤波器，应用在中压领域时可使用1700V及以下电压等级的Si绝缘栅极晶体管(IGBT)和SiC场效应晶体管(MOSFET)，等效开关频率高，高次谐波补偿能力好。 申请人：中国船舶重工集团公司第七一九研究所
地址：430205 湖北省武汉市江夏区藏龙岛开发区杨桥湖大道19号
国籍：CN
代理机构：北京律谱知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人：黄云铎
豫公网安备41160202000603
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