首页 > 学术百科

P沟道JFET与双极混合集成电路及制作工艺[发明专利]

专利名称：P沟道JFET与双极混合集成电路及制作工艺专利类型：发明专利

发明人：魏守国，雷必庆

申请号：CN201010156890.7

申请日：20100416

公开号：CN101819950A

公开日：

20100901

专利内容由知识产权出版社提供

摘要：本发明涉及一种P沟道JFET与双极混合集成电路及制作工艺，属于半导体硅器件与集成电路制造技术领域，主要特点是在双极集成电路的同一硅片上设置通过铝引线与双极集成电路相应电连接的P沟道JFET集成电路，双极集成电路中的双极NPN管与P沟道JFET之间设置上隔离区、下隔离区彼此隔离，采用P-阱深扩散技术、低硼注入与以氧化层掩蔽高能离子浅注入顶栅共同形成的浅沟道制作技术以及适当的工艺调控制成了所需求的兼容混合集成的p沟道JFET，本发明实现了既具有双极集成电路的速度高、驱动能力强的优点，同时又具有高增益、低功耗、高阻抗、高电压输出的电路性能。

申请人：扬州晶新微电子有限公司

地址：225009 江苏省扬州市经济开发区鸿大路29号

国籍：CN

代理机构：扬州苏中专利事务所(普通合伙)

代理人：张荣亮

本文发布于:2024-09-20 19:52:28，感谢您对本站的认可！

本文链接：https://www.17tex.com/xueshu/765939.html

上一篇：一种高低压耦合机理的测试系统及测试方法[发明专利]

下一篇：一种PIFA天线阵列及射频天线系统[实用新型专利]