一种限幅低噪声放大器芯片结构[发明专利]

专利名称:一种限幅低噪声放大器芯片结构
专利类型:发明专利
发明人:任健,刘帅,白银超,戴剑,王磊,赵瑞华,潘海波,崔亮,刘飞飞,杨琦,杨丹丹,谷腾飞,李佩姿
申请号:CN201911401636.6
申请日:20191230
公开号:CN111048492A
公开日:
20200421
专利内容由知识产权出版社提供
摘要:本申请公开了一种限幅低噪声放大器芯片结构,涉及半导体技术领域。其中,上述限幅低噪声放大器芯片结构包括:限幅器芯片、位于限幅器芯片上表面屏蔽芯片,以及位于屏蔽芯片上表面的低噪声放大器芯片;屏蔽芯片的下表面与限幅器芯片的上表面电性连接;低噪声放大器芯片的下表面与屏蔽芯片的上表面电性连接;低噪声放大器芯片与限幅器芯片电性连接。本申请中限幅低噪声放大器芯片为垂直堆叠结构,且限幅器芯片与低噪声放大器芯片之间通过屏蔽芯片进行信号屏蔽和隔离,有利于缩小限幅低噪声放大器的尺寸。
申请人:中国电子科技集团公司第十三研究所
地址:050051 河北省石家庄市合作路113号
国籍:CN
代理机构:石家庄国为知识产权事务所
代理人:付晓娣

本文发布于:2024-09-20 22:53:00,感谢您对本站的认可!

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