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基于半超结的碳化硅MOSFET及制作方法[发明专利]

专利名称：基于半超结的碳化硅MOSFET及制作方法专利类型：发明专利

发明人：汤晓燕，宋庆文，李华超，张玉明，张义门

申请号：CN201210332753.3

申请日：20120910

公开号：CN102832248A

公开日：

20121219

专利内容由知识产权出版社提供

摘要：本发明公开了一种基于超结结构和传统漂移区相结合的半超结结构的碳化硅MOSFET，主要解决现有碳化硅MOSFET在高击穿电压时导通电阻高的问题。它包括：源极(1)、栅极(2)、SiO氧化物介质(3)、N源区(4)、P接触区(5)、P阱(6)、JFET区域(7)、N外延层(11)、N衬底(12)和漏极(13)，其中N-外延层(11)上方设有电流扩展层(10)，电流扩展层(10)上方的两侧且在P阱(6)的正下方设有掺杂浓度为1×10~3×10cm的P柱区(8)，两个P柱区(8)横向宽度相等，JFET区域(7)的下方设有与P柱区掺杂浓度相等、宽度为两个P柱区宽度之和的N柱区(9)。本发明器件具有导通电阻低的优点，可用于大功率电气设备、太阳能发电模块以及混合燃料电动车。

申请人：西安电子科技大学

地址：710071 陕西省西安市太白南路2号

国籍：CN

代理机构：陕西电子工业专利中心

本文发布于:2024-09-20 14:36:22，感谢您对本站的认可！

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