(10)申请公布号 CN 102292807 A
(43)申请公布日 2011.12.21C N 102292807 A
*CN102292807A*
(21)申请号 201080005564.4
(22)申请日 2010.01.26
2009-016283 2009.01.28 JP
2009-271597 2009.11.30 JP
2009-282872 2009.12.14 JP
H01L 21/683(2006.01)H02N 13/00(2006.01)
(71)申请人旭硝子株式会社
地址日本东京
(72)发明人木下健 伊势博利
(74)专利代理机构上海专利商标事务所有限公
司 31100
代理人
胡烨(54)发明名称
(57)摘要
颗粒等异物而对玻璃衬底表面或吸盘面造成损伤
这一情况的发生得到抑制的EUV 掩模基板的制造
方法。该EUV 掩模基板的制造方法的特征在于，吸
附保持玻璃衬底的静电吸盘在主体上依次具备由
有机高分子膜形成的下部电介质层、由导电性材
料形成的电极部及由有机高分子膜形成的上部电
介质层，所述电极部包括正电极和负电极。
(30)优先权数据
(85)PCT申请进入国家阶段日
2011.07.22
(86)PCT申请的申请数据
PCT/JP2010/050985 2010.01.26
(87)PCT申请的公布数据
WO2010/087345 JA 2010.08.05(51)Int.Cl.
(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请
权利要求书 2 页 说明书 17 页 附图 2 页
1.EUVL用反射型掩模基板的制造方法，该方法是用静电吸盘吸附保持玻璃衬底，通过溅射法在所述玻璃衬底上至少依次形成反射EUV光的反射层及吸收EUV光的吸收层的EUV 光刻(EUVL)用反射型掩模基板
的制造方法，
其特征在于，所述静电吸盘在主体上依次具备由有机高分子膜形成的下部电介质层、由导电性材料形成的电极部及由有机高分子膜形成的上部电介质层，所述电极部包括正电极和负电极。
2.EUVL用反射型掩模基板的制造方法，该方法是用静电吸盘吸附保持玻璃衬底，通过溅射法在所述玻璃衬底上形成反射EUV光的反射层以及在该反射层的上层形成吸收EUV光的吸收层的EUV光刻(EUVL)用反射型掩模基板的制造方法，
其特征在于，至少在形成所述反射层及所述吸收层时，所述静电吸盘在主体的吸附面侧依次具备由有机高分子膜形成的下部电介质层、由导电性材料形成的电极部及由有机高分子膜形成的上部电介质层，所述电极部包括正电极和负电极。
3.如权利要求1或2所述的EUVL用反射型掩模基板的制造方法，其特征在于，所述静电吸盘的所述下部电介质层包含2层以上的有机高分子膜。
4.如权利要求1～3中任一项所述的EUVL用反射型掩模基板的制造方法，其特征在于，所述静电吸盘的所述上部电介质层包含2层以上的有机高分子膜。
5.如权利要求1～4中任一项所述的EUVL用反射型掩模基板的制造方法，其特征在于，所述静电吸盘的
所述下部电介质层及所述上部电介质层的绝缘击穿耐压在3.0kV以上。
6.如权利要求1～5中任一项所述的EUVL用反射型掩模基板的制造方法，其特征在于，所述静电吸盘的所述下部电介质层及所述上部电介质层的抗拉强度在50MPa以上。
7.如权利要求1～6中任一项所述的EUVL用反射型掩模基板的制造方法，其特征在于，所述静电吸盘的所述下部电介质层及所述上部电介质层的拉伸伸长率在20％以上。
8.如权利要求1～7中任一项所述的EUVL用反射型掩模基板的制造方法，其特征在于，所述静电吸盘的所述下部电介质层及所述上部电介质层的拉伸弹性率在1.0GPa以上。
9.如权利要求1～8中任一项所述的EUVL用反射型掩模基板的制造方法，其特征在于，所述静电吸盘的所述下部电介质层及所述上部电介质层包括选自聚酰亚胺膜、聚烯烃类材料膜、有机硅膜、聚氯乙烯膜及聚对苯二甲酸乙二醇酯膜的至少1层有机高分子膜。
10.如权利要求1～9中任一项所述的EUVL用反射型掩模基板的制造方法，其特征在于，所述静电吸盘的所述下部电介质层的厚度为所述上部电介质层的厚度的2倍以上。
11.如权利要求1～10中任一项所述的EUVL用反射型掩模基板的制造方法，其特征在于，所述静电吸盘的所述上部电介质层的厚度为10～500μm。
12.如权利要求1～11中任一项所述的EUVL用反射型掩模基板的制造方法，其特征在于，所述静电吸盘在所述上部电介质层的吸附面侧具备用于减少与被吸附保持的玻璃衬底的接触面积的突起部。
13.如权利要求12所述的EUVL用反射型掩模基板的制造方法，其特征在于，所述静电吸盘的所述突起部的高度为5～50μm。
14.如权利要求12或13所述的EUVL用反射型掩模基板的制造方法，其特征在于，所述静电吸盘的所述突起部与被吸附保持的玻璃衬底的接触面积合计为所述上部电介质的表
面积的0.1～25.0％。
15.如权利要求1～14中任一项所述的EUVL用反射型掩模基板的制造方法，其特征在于，所述静电吸盘的所述正电极及所述负电极分别具有梳齿型的形状，各梳齿以隔开空隙邻接的方式配置。
16.如权利要求1～15中任一项所述的EUVL用反射型掩模基板的制造方法，其特征在于，所述静电吸盘的所述电极部的厚度在10μm以下。
17.如权利要求1～16中任一项所述的EUVL用反射型掩模基板的制造方法，其特征在于，在所述玻璃衬底的被吸附保持于所述静电吸盘的一侧的表面设置有导电膜。
EUV光刻用反射型掩模基板的制造方法
技术领域
[0001] 本发明涉及半导体制造等中使用的EUV(Extreme Ultra Violet：远紫外)光刻用反射型掩模基板(下面，在本说明书中称作“EUV掩模基板”)的制造方法。
背景技术
[0002] 以往，在半导体产业中，作为在Si衬底等上形成由微细图案构成的集成电路时必不可少的微细图案的转印技术，使用的是采用可见光或紫外光的光刻法。但是，半导体器件的微细化不断加快，正逐渐接近现有的曝光极限。进行曝光时，图案的解析度极限是曝光波长的1/2左右，即使使用浸没法，图案的解析度极限也只是曝光波长的1/4左右，可以预见即使使用ArF激光(193nm)的浸没法，极限也在45nm左右。于是，作为45nm以下的曝光技术，采用波长比ArF激光更短的EUV光的曝光技术、即EUV光刻被寄予厚望。EUV光是指软X射线区域或真空紫外线区域的波长的光线，具体是指波长10～20nm左右、特别是13.5nm±0.3nm左右的光线。
[0003] EUV光容易被各种物质吸收且折射率趋近于1，因此无法使用现有的采用可见光或紫外光的光刻这样的折射光学系统。因此，EUV光刻中使用反射光学系统、即反射型光掩模和反射镜。
[0004] 掩模基板是光掩模制造中使用的图案形成前的层叠体。反射型光掩模用掩模基板具有在玻璃等衬
底上依次形成有反射EUV光的反射层和吸收EUV光的吸收层的结构。作为反射层，通常使用通过交替层叠高折射率层和低折射率层而提高了对层表面照射光线时的光线反射率、更具体是对层表面照射EUV光时的光线反射率的多层反射膜。吸收层使用的是对EUV光的吸收系数高的材料，具体使用例如以Cr或Ta为主要成分的材料(例如参照专利文献2及3)。
[0005] 多层反射膜及吸收层采用离子束溅射法或磁控溅射法在玻璃衬底的光学面上成膜。形成多层反射膜及吸收层时，通过保持构件来保持玻璃衬底。作为玻璃衬底的保持构件，包括机械性吸盘(chuck)和静电吸盘，从起尘的角度考虑，优选采用通过静电吸盘进行吸附保持的方式。
[0006] 静电吸盘的吸附方式大致分为单极方式和双极方式。单极型是保持施加单极电压的机构，将等离子体等作为接地来吸附衬底。另一方面，双极型在静电吸盘内可保持同时对正极·负极施加电压的机构，或者可保持单极及地线机构，在没有等离子体等接地时也可保持衬底。
[0007] 作为吸附玻璃衬底进行保持的构件采用静电吸盘时，由于作为吸附保持对象的玻璃衬底除极小一部分以外均为绝缘体，因此大多数为双极型静电吸盘。
[0008] 静电吸盘大致分为利用因电介质材料的不同而在衬底和静电吸盘间产生的电荷进行吸附的库仑力型，以及除了所述电荷以外还利用了从电介质膜漏出的电流和电极表面的微小凹凸距离的差异所产生的吸附力的约翰逊·拉别克力型。库仑力型由于漏出的电流少，因此具备传导电流对衬底所造成的破坏和损
伤可减轻的优点，但也存在所施加的电压
大于约翰逊·拉别克力型的缺点。
[0009] 双极型中，除了所述吸附机构以外，还通过其电极配置产生从电场强度弱的位置吸引至电场强度强的位置的梯度(gradient)力。将其称为电介质吸引力。
[0010] EUV掩模基板的制造工序中使用的玻璃衬底的尺寸要比半导体器件的制造工序中使用的硅晶片的尺寸大得多，其质量也大得多，因此要求发挥出比硅晶片用静电吸盘强得多的吸附力。
[0011] 所以，以吸附保持玻璃衬底为目的使用的静电吸盘必须能够利用梯度力发挥强吸附力。
[0012] 专利文献1中揭示了通过高效地产生梯度力而能够利用强吸附力来保持玻璃衬底的静电吸盘。
[0013] 专利文献1中记载，作为通过静电吸盘保持玻璃衬底时的其它问题有：对衬底造成损伤的微小颗粒及其它异物如果以夹在衬底和静电吸盘间的方式被吸附，则该力会使异物对成为吸盘面的电介质层表面造成损伤，其结果是，引发电介质层的平坦度或电绝缘性不良等各种问题。
[0014] 专利文献1记载的静电吸盘，在电极的上方设置被吸附衬底，藉此提高静电吸盘的吸附力，另外，电极采用耐磨耗性优良的钛、含钛化合物、氧化钛或氮化钛或碳化钛等导电性陶瓷，可维持与被吸
附衬底的接触的耐久性和不易受到颗粒等异物的磨损的强度。[0015] 但是，如专利文献1记载的静电吸盘那样，将由陶瓷材料形成的电极作为吸盘面，使玻璃衬底吸附于该吸盘面时，如果在玻璃衬底和吸盘面之间夹杂了颗粒等异物，则会对玻璃衬底表面或吸盘面、或同时对两者造成损伤，进一步生成更大的颗粒。此时在吸盘面产生的损伤会成为对之后所接触的玻璃衬底继续转移损伤的源头，大大地妨碍低起尘化。[0016] 专利文献1中记载了可维持不易受到颗粒等异物的磨损的强度，但事实上在玻璃衬底和吸盘面之间夹杂颗粒等异物会对玻璃衬底表面或吸盘面、或同时对两者造成损伤。[0017] 由于是微小的损伤，因此以往不成为问题，但对用于EUV掩模基板的制造工序的玻璃衬底的表面状态的要求非常严格，即使是这种微小的损伤也可能会产生问题。[0018] 专利文献1：日本专利特开2006-66857号公报
[0019] 专利文献2：美国公开公报2007-160874号公报
[0020] 专利文献3：美国公开公报2009-011341号公报
[0021] 发明的揭示
[0022] 为了解决上述现有技术中存在的问题，本发明的目的是提供静电吸盘和玻璃衬底之间因夹杂颗粒等异物而对玻璃衬底表面及吸盘面造成损伤这一情况的发生得到抑制的EUV掩模基板的制造方法。
[0023] 为了实现所述目的，本发明提供如下EUVL用反射型掩模基板的制造方法，该方法是用静电吸盘
吸附保持玻璃衬底，通过溅射法在所述玻璃衬底上至少依次形成反射EUV光的反射层及吸收EUV光的吸收层的EUV光刻(EUVL)用反射型掩模基板的制造方法，该方法的特征在于，所述静电吸盘在主体上依次具备由有机高分子膜形成的下部电介质层、由导电性材料形成的电极部及由有机高分子膜形成的上部电介质层，所述电极部包括正电极和负电极。
[0024] 本发明还提供如下EUVL用反射型掩模基板的制造方法，该方法是用静电吸盘吸
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