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具有双厚度势垒层的高电子迁移率晶体管[发明专利]

专利名称：具有双厚度势垒层的高电子迁移率晶体管专利类型：发明专利

发明人：G.库拉托拉,O.赫贝伦

申请号：CN201910167400.4

申请日：20190306

公开号：CN110233104A

公开日：

20190913

专利内容由知识产权出版社提供

摘要：一种形成半导体器件的方法包括提供异质结半导体本体。异质结半导体本体包括第一III‑V 型半导体层和形成在第一III‑V型半导体层之上的第二III‑V型半导体层。第二III‑V型半导体层具有与第一III‑V型半导体层不同的带隙，使得第一二维电荷载流子气形成在第一与第二III‑V型半导体层之间的界面处。第二III‑V型半导体层具有较厚区段和较薄区段。第一输入‑输出电极形成在较厚区段上。栅极结构和第二输入‑输出形成在较薄区段上。栅极结构与第二III‑V型半导体层的较厚与较薄区段之间的过渡横向间隔开。

申请人：英飞凌科技奥地利有限公司

地址：奥地利菲拉赫西门子大街2号

国籍：AT

代理机构：中国专利代理(香港)有限公司

本文发布于:2024-09-20 15:23:07，感谢您对本站的认可！

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