汞离子荧光传感器及其合成方法和应用[发明专利]

专利名称:汞离子荧光传感器及其合成方法和应用专利类型:发明专利
发明人:刘顺英,谢叶归,王东伟,吴献荣
申请号:CN201310163699.9
申请日:20130506
公开号:CN103254891A
公开日:
20130821
专利内容由知识产权出版社提供
摘要:本发明公开了一种如式(I)所示的汞离子荧光传感器,包括罗丹明B骨架,阴离子健合单元脲或者硫脲及其传感的信号单元荧光分子基团。本发明还公开了汞离子荧光传感器的合成方法。本发明还提供了式(I)汞离子荧光传感器在汞离子检测中的应用。与现有的技术相比,本发明使用的原料易得,合成步骤简单,后处理方便,易实现规模化生产。
申请人:华东师范大学
地址:200062 上海市普陀区中山北路3663号
国籍:CN
代理机构:上海麦其知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人:董红曼

本文发布于:2024-09-20 15:00:55,感谢您对本站的认可!

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标签:荧光   离子   合成   传感器   单元
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