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LRRM校准件的制备方法及LRRM校准件[发明专利]

专利名称：LRRM校准件的制备方法及LRRM校准件

专利类型：发明专利

发明人：王一帮，吴爱华，霍晔，梁法国，栾鹏，徐森锋，张立飞，张晓云

申请号：CN202111284371.3

申请日：20211101

公开号：CN114137379A

公开日：

20220304

专利内容由知识产权出版社提供

摘要：本发明提供一种LRRM校准件的制备方法及LRRM校准件。该方法包括：LRRM校准件包括一个传输线、两个开路、两个短路以及两个负载，方法包括：获取衬底参数和衬底上设置的金属的参数，根据衬底参数和金属参数，得到传输线横截面尺寸；根据传输线横截面尺寸，确定开路、短路以及负载的横截面尺寸；根据传输线横截面尺寸、开路的横截面尺寸、短路的横截面尺寸以及负载的横截面尺寸进行半导体工艺加工，并对加工完成的校准件中的负载的电阻进行激光修阻；对修阻后的校准件中的传输线、反射和负载进行参数标定，得到LRRM校准件。本发明能够解决目前没有LRRM校准件的制备方法的问题。

申请人：中国电子科技集团公司第十三研究所

地址：050051 河北省石家庄市合作路113号

国籍：CN

代理机构：石家庄国为知识产权事务所

代理人：彭竞驰

本文发布于:2024-09-20 17:22:59，感谢您对本站的认可！

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