[19]
中华人民共和国国家知识产权局
[12]发明专利申请公布说明书
[11]公开号CN 101075090A [43]公开日2007年11月21日
[21]申请号200610082639.4[22]申请日2006.05.19
[21]申请号200610082639.4
[71]申请人旭化成电子材料元件株式会社
地址日本东京都
[72]发明人有久慎司 冈田祐二 [74]专利代理机构北京市中咨律师事务所代理人段承恩 田欣[51]Int.CI.G03F 7/027 (2006.01)G03F 7/028 (2006.01)G03F 7/033 (2006.01)
G03F 7/20 (2006.01)
G03F 7/30 (2006.01)H05K 3/00 (2006.01)
权利要求书 2 页 说明书 21 页
[54]发明名称
[57]摘要
本发明的课题在于提供一种干膜抗蚀剂，其作
为抗蚀阻剂或抗镀敷剂等的抗蚀剂材料，具有特别
的高解像性和高粘结性以及抗蚀剂剥离性，而且还
具有在显影液中分散稳定性优异的特性。本发明通
过提供下述干膜抗蚀剂而解决了上述问题，即，一
种干膜抗蚀剂，是在支持体上层叠含有下述物质的
为，(A)30～80质量％的含羧基粘合剂、(B)15～60
质量％的可以进行光聚合的单体、(C)0.01～20质 量％的光聚合引发剂，该干膜抗蚀剂的特征在于，
(A)含羧基粘合剂和(B)可以进行光聚合的单体具有
特定的结构。
200610082639.4权 利 要 求 书第1/2页
1.一种干膜抗蚀剂，是在支持体上层叠含有下述物质的光聚合性树脂组合物而形成的干膜抗蚀剂，所述物质为，(A)30～80质量％的含羧基粘合剂、(B)15～60质量％的可以进行光聚合的单体、(C)0.01～20质量％的光聚合引发剂；该干膜抗蚀剂的特征在于，
(A)含羧基粘合剂，在100质量％(A)成分中含有5质量％或其以上的共聚物(a-1)，共聚物(a-1)是至少由15
～35质量％的下述通式(I)所示的单体I、10～80质量％的下述通式(II)所示的单体II、1～50质量％的下述通式(III)所示的单体III进行共聚合而形成的、且重均分子量为5,000～500,000的共聚物，
其中，R1表示氢原子或甲基；
其中，R2表示氢原子或甲基、R4表示氢原子、甲基、乙基、甲氧基、乙氧基、氯原子、或溴原子；
其中，R3表示氢原子或甲基、R5表示碳原子数为6～12的烷基； 作为(B)可以进行光聚合的单体，含有下述通式(IV)所示的化合物，
其中，R6表示氢原子或甲基、R7表示-CH2OH、-CH2O(CO)CH＝CH2、或-CH2O(CO)C(CH3)＝CH2基。
2.如权利要求1所述的干膜抗蚀剂，其特征在于，单体III为丙烯酸-2-
200610082639.4权 利 要 求 书 第2/2页 3.如权利要求1～2中任一项所述的干膜抗蚀剂，其特征在于，作为(C)光聚合引发剂，含有2，4，5-三芳基咪唑二聚体。
4.一种抗蚀剂图形的形成方法，其特征在于，包括在基板上层叠权利要求1～3中任一项所述的干膜抗蚀剂、曝光、显影的工序。 5.一种印刷电路板的制造方法，其特征在于，包括对采用权利要求4所述的方法形成了抗蚀剂图形的基板进行蚀刻或镀敷的工序。
200610082639.4说 明 书第1/21页
干膜抗蚀剂
技术领域
本发明涉及可以进行碱显影的干膜抗蚀剂，其含有具有特定结构的含
羧基粘合剂和可以进行特定光聚合的单体。更详细来说，本发明涉及一种
干膜抗蚀剂，该干膜抗蚀剂在印刷电路板(也可以称作印制电路板、电路
基板)、引线框架、半导体封装等的制造、金属的精密加工等领域中，用作抗蚀阻剂或抗镀剂等干膜抗蚀剂材料，具有特别高的解像性、粘结性及抗
蚀剂剥离性，而且也具有在显影液中分散稳定性优异的特性，还涉及使用
该干膜抗蚀剂的印刷电路板的制造方法。
背景技术
近年来，伴随着个人电脑或便携电话等电子设备的轻薄短小化的进程
加速，要求其中搭载的印刷电路板、引线框架、BGA(Ball Grid Array)、
CSP(Chip Size Package)等的封装中具有窄间距的图形。在印刷电路板、
引线框架、半导体封装等的制造、金属的精密加工等的领域中，已知使用
干膜抗蚀剂作为抗蚀阻剂或抗镀敷剂等抗蚀剂材料，所述干膜抗蚀剂使用
了光聚合性树脂组合物。干膜抗蚀剂一般通过在支持体上层叠光聚合性树
脂组合物层，再根据需要在该光聚合性树脂组合物层上层叠保护层来制备。作为此处使用的光聚合性树脂组合物层，现在一般是使用弱碱性水溶液作
为显影液的碱显影型的组合物层。
在使用干膜抗蚀剂来制作印刷电路板时，首先剥离保护层，然后在镀
铜层压板或柔性基板等制作永久电路用基板上采用层叠等方法来层叠干膜
抗蚀剂(以下，也称作“DFR”)，透过布线图形掩模薄膜等进行曝光。接
着，根据需要，剥离支持体，利用显影液溶解或分散除去未曝光部分的光
聚合性树脂层，在基板上形成抗蚀剂图形。
200610082639.4说 明 书 第2/21页 在形成抗蚀剂图形后，形成电路的工序大致分为2种方法。第一种方
法是，在对没有被抗蚀剂图形覆盖的镀铜层压板等的铜面进行蚀刻除去后，用比显影液更强的碱性水溶液除去抗蚀剂图形部分的方法。在该情况下，
从工序的简便性的观点出发，多使用用固化膜覆盖通孔，然后进行蚀刻的
方法(盖孔法)。第二种方法是，在对与上述相同的铜面上实施镀铜处理，
如果需要，再实施焊料、镍和锡等镀敷处理后，同样除去干膜抗蚀剂部分，进而对出现的镀铜层压板等的铜面进行蚀刻的方法(镀敷法)。在蚀刻时，
可以使用氯化铜、氯化铁、铜氨络合物溶液、硫酸/过氧化氢水溶液等酸性蚀刻液。
为了以更高合格率制造窄间距的图形，要求干膜抗蚀剂具有高解像性
和高粘结性，从提高生产率的观点出发，要求缩短显影时间、剥离时间。
特别是在最近，从以高合格率制造窄间距的图形的观点出发，镀敷法的重
要性在日益增加。
在镀敷法中，抗蚀剂与基板的粘结性是重要的，如果粘结性不足，在
镀敷的予处理时，处理液浸透到抗蚀剂与基板之间，固化了的抗蚀剂产生
咬边，从而容易发生抗蚀剂从基板漂浮上来的现象。如果发生这样的现象，则产生镀敷潜入(镀敷扩及到抗蚀剂下部的现象)，因此人们期望一种粘结
性优异的干膜抗蚀剂。另外，伴随着近年来布线图形的窄间距化，在电路
布线宽度持续缩小的同时，从布线电路的电特性等观点出发，相对于干膜
抗蚀剂的厚度，金属镀敷的厚度也增大，干膜抗蚀剂被施加在非常狭窄的
空间内的金属镀膜所密封。结果，很难利用公知的方法来进行剥离除去。
如果干膜抗蚀剂不能被完全除去，则通过接下来的蚀刻工序得到不完整的
布线电路，这是不合适的，因此人们期望一种剥离性优异的干膜抗蚀剂。
为了与增大的金属镀敷厚度相适应，也有尝试使用厚的干膜抗蚀剂的情况，但是在该方法中，干膜抗蚀剂的解像性、粘结性受到损害，因此在窄间距
的布线图形的制造中受到了限制。
关于干膜抗蚀剂的剥离性，已提出了例如含有特定的含羧基粘合剂成
分(参考专利文献1和专利文献2)的方法，这在使剥离片尺寸微细化方
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