[19]
中华人民共和国国家知识产权局
[12]实用新型专利说明书
[11]授权公告号CN 2788348Y [45]授权公告日2006年6月14日
专利号 ZL 200520017093.5[22]申请日2005.04.22
[21]申请号200520017093.5
[73]专利权人北京中科信电子装备有限公司
地址100036北京市海淀区复兴路乙20号大地写
字楼北门44号办公楼二层东段
[72]设计人龙会跃 易文杰 郭建辉 陈鑫 唐景庭
许波涛 姚志丹 [74]专利代理机构北京中海智圣知识产权代理有限公司代理人曾永珠
[51]Int.CI.H01J 37/317 (2006.01)H01J 37/147 (2006.01)H01L 21/265 (2006.01)
权利要求书 1 页 说明书 3 页 附图 1 页
[54]实用新型名称
[57]摘要
本实用新型公开了一种扫描偏转装置，由前板、
扫描壳体、两个安装条、安装板、两个斜支撑板、
后板、接线块、两个绝缘瓷拄子和斜板组成，其中
扫描壳体使整个扫描偏转装置处于真空环境，离子
束从前板进入该装置，前板阻挡杂散离子进入扫描
区域；斜板与安装板形成喇叭形状，以便使扫开的
区域的光栏，阻挡杂散离子进入漂移区域；接线块
接入扫描电压，该装置实现了离子束的偏转又展宽
了离子束，达到离子注入均匀性要求，同时也达到
了注入晶片的宽度。
200520017093.5权 利 要 求 书第1/1页 1、一种扫描偏转装置，其特征在于它由前板、扫描壳体、两
个安装条、安装板、两个斜支撑板、后板、接线块、两个绝缘瓷拄子和斜板组成，其中扫描壳体为密封结构，使整个扫描偏转装置处于真空环境，通过两个安装条将安装板固定在扫描壳体上，安装板前端设置有前板，安装板后端设有后板，后板通过两个斜支撑板与安装板连接，在安装板的一侧通过绝缘瓷柱子将斜板固定在安装板上，斜板与安装板之间的距离前窄后宽成一定角度的喇叭形状，在斜板上装有接线块。
200520017093.5说 明 书第1/3页
扫描偏转装置
技术领域
本实用新型涉及一种扫描偏转装置，尤其涉及一种半导体制造离子注入机中的扫描偏转装置。
背景技术
在半导体掺杂及其它离子注入技术中，大面积注入均匀是必不可少的条件。离子注入机的目标是在成分和能量方面形成纯净的离子束。用这种纯净的离子束注入目标硅片。也就是说，离子束仅包含具有预定能级的希望得到的杂质离子。离子束斑通常很小，显然，利用直径为几毫米的离子束，固定注入样品的某部位是不行的，因为，离子束横截面的束流密度分布是不均匀的。另外，离子束能量集中于样品表面
的局部范围内，也会引起样品表面温升太高，对注入的样品将带来十分不利的影响。
目前的离子注入机中对离子束进行扫描和偏转效果不够好，不能保证离子束重复均匀地扫过样品的表面，以保证离子注入的均匀性。
发明内容
为了解决上述存在的问题，本实用新型提供了一种扫描偏转装置，在垂直于离子束前进方向上外加一随时间做线性变化的电场，实现了离子束的偏转又展宽了离子束，达到离子注入均匀性要求，同时也达到了注入晶片的宽度。 本实用新型是这样实现的，一种扫描偏转装置，由前板、扫描壳体、两个安装条、安装板、两个斜支撑板、后板、接线块、两个绝缘瓷拄子和斜板组成，其中扫描壳体使整个扫描偏转装置处于真空环境，前板与安装板连接，两个安装条将安装板固定在扫描壳体上，离子束从前板进入该装置，前板阻挡杂散离子进入扫描区域；绝缘瓷柱子将斜板固定在安装板上，并使斜板与安装板形成喇叭形状，以便使扫开的离子束通过；斜支撑板用来支撑后板并与安装板连接，可以阻
挡杂散离子进入漂移区域；接线块安装在斜板上，接入扫描电压。 与现有技术相比本实用新型的有益效果是：
1、采用离子束偏转装置，使离子束偏转一个角度，与中性束分开，因而得到较好的注入均匀性；
2、离子束通过扫描后，束在水平方向得到展宽，达到晶片的注入宽度；
3、结构相对简单，安装板、前板及后板采用溅射系数小、耐高温的石墨材料，降低微粒污染。
附图说明
图1为本实用新型扫描偏转装置的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对本实用新型作进一步详细描述，一种扫描偏转装置，由前板1、扫描壳体2、两个安装条3、安装板4、两个斜支撑板5、后板6、接线块7、两个绝缘瓷拄子8和斜板9组成，其中扫描壳体2使整个扫描偏转装置处于真空环境，前板1与安装板4连接，两个安装条3将安装板4固定在扫描壳体2上，离子束从前板1进入该装置，前板1阻挡杂散离子进入扫描区域；绝缘瓷柱子8将斜板9固定在安装板4上，并使斜板9与安装板4形成喇叭形状，以便使扫开的离子束通过；斜支撑板5用来支撑后板6并与安装板4连接，可以阻挡杂散离子进入漂移区域；接线块7安装在斜板9上，接入扫描电压。
离子束从前板1进入由安装板4和斜板9组成的扫描偏转系统后，在偏转电场作用下，离子受电场力作用，离子束将会偏转一定的角度，由于中性束不受电场力作用，因此它将与离子束分开，不会注入到晶片中，从而消除中性束对注入均匀性的影响。扫描电压和偏转电压迭加后直接加到斜板9上，采用电场
扫描方式，频率为1KHZ，扫描电压为+10KV～-20KV，离子束通过扫描后把束展宽，以达到注入晶片的宽度。
本实用新型的特定实施例已对本实用新型的内容做了详尽说明。对本领域一般技术人员而言，在不背离本实用新型精神的前提下对它所做的任何显而易见的
改动，都构成对本发明新型专利的侵犯，将承担相应的法律责任。
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