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一种仿真方法[发明专利]

专利名称：一种仿真方法

专利类型：发明专利

发明人：王正楠

申请号：CN201911236937.8申请日：20191205

公开号：CN110765708A

公开日：

20200207

专利内容由知识产权出版社提供

摘要：本发明公开了一种仿真方法，通过在原有的结型场效应管仿真模型基础上增加噪声生成电路，用于模拟所述结型场效应管的噪声。可以完善所述结型场效应管仿真模型在高压偏置条件下的噪声特性，为设计人员提供了可靠的仿真模型。通过屏蔽原有的结型场效应管仿真模型中的寄生电阻的参数，然后在结型场效应管的源端和漏端设置带电压修正系数的寄生电阻，然后分别在所述第六电阻和所述第七电阻上并联设置热噪声信号源，并且在结型场效应管的源端和漏端设置并联的闪烁噪声信号源，从而完善了结型场效应管在高压电压偏置条件下的噪声特性。

申请人：上海华虹宏力半导体制造有限公司

地址：201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

国籍：CN

代理机构：上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：曹廷廷

本文发布于:2024-09-20 16:38:30，感谢您对本站的认可！

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