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用于铜互连的SiCN介质扩散阻挡层薄膜及其制备工艺[发明专利]

专利名称：用于铜互连的SiCN介质扩散阻挡层薄膜及其制备工艺

专利类型：发明专利

发明人：周继承，石之杰，郑旭强，刘福，黄迪辉

申请号：CN200910043000.9

申请日：20090331

公开号：CN101515580A

公开日：

20090826

专利内容由知识产权出版社提供

摘要：本发明公开了一种用于铜互连的SiCN扩散阻挡层薄膜，其特征在于，由包括质量百分比为10％～15％的N、15％～20％的C和余量为Si的原料通过磁控溅射方法制备而成。本发明还公开了一种制备该SiCN扩散阻挡层薄膜的工艺，具体方法为采用反应磁控溅射法。该SiCN薄膜经600℃退火5分钟后，其阻挡特性才失效。与传统SiN阻挡层相比，本发明的SiCN阻挡层薄膜材料，具有高效阻挡性能，与Si基片具有良好黏附性；同时因其较低的介电常数可明显减小RC延迟，有利于提高器件性能。

申请人：中南大学

地址：410083 湖南省长沙市岳麓区麓山南路1号

国籍：CN

代理机构：长沙市融智专利事务所

代理人：颜勇

本文发布于:2024-09-20 15:41:39，感谢您对本站的认可！

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