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一种氮化硅膜的制作方法及氮化硅膜[发明专利]

专利名称：一种氮化硅膜的制作方法及氮化硅膜专利类型：发明专利

发明人：纪幸辰

申请号：CN201810470779.1

申请日：20180516

公开号：CN108570656A

公开日：

20180925

专利内容由知识产权出版社提供

摘要：本发明提出了一种氮化硅薄膜的制作方法，包括：S1.选取掺杂单晶硅或氧化硅晶片，作为衬底；S2.将清洗后干燥的衬底置于低压化学气相沉积设备腔中；S3.通入非活性气体，加热到750℃～850℃；S4.通入气体HSiCl和NH，发生化学反应；获得初级氮化硅薄膜；S5.再通入非活性气体；S6.对沉积设备腔的温度进行降温，打开设备腔，将初级氮化硅薄膜顺序调换；S7.重复步骤S1～S5，发生化学反应，对沉积设备腔进行降温，获得氮化硅薄膜。本发明还公开了一种氮化硅薄膜。实施本发明的技术方案中，在保持氮化硅膜特性不变的情况下，制备得到的氮化硅膜厚度可大于400nm，薄膜不均匀度小于1％。

申请人：深圳市硅光半导体科技有限公司

地址：518040 广东省深圳市福田区沙头街道天安社区泰然九路11号海松大厦B座2201C

国籍：CN

代理机构：深圳市深联知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：杨静

本文发布于:2024-09-25 02:32:16，感谢您对本站的认可！

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