一种电子束光刻制备亚微米闪耀光栅压印模板及其方法[发明专利]

专利名称:一种电子束光刻制备亚微米闪耀光栅压印模板及其方法
专利类型:发明专利
发明人:王磊,李宗宴,李文喆,刘新鹏,孙峥,杨子曦,宋学颖,曲迪
申请号:CN202111361056.6
申请日:20211117
公开号:CN114089457A
公开日:
20220225
专利内容由知识产权出版社提供
摘要:本发明公开了一种电子束光刻制备亚微米闪耀光栅压印模板及其方法,属于半导体技术领域,其特征在于,包括:S1、在片源上涂胶;S2、电子束曝光;S3、显影;S4、SEM表征;S5、制作曝光版图;S6、Beamer软件模拟曝光剂量;S7、二次涂胶;S8、二次电子束曝光;S9、二次显影;S10、坚膜;S11、ICP刻蚀;S12、去胶。本发明提出一种可以制备周期lt;500nm,闪耀角曲率半径lt;10nm的闪耀光栅压模板的方法,并且周期在100nm到500nm之间和闪耀角在10°到50°之间可以连续调节。
申请人:天津华慧芯科技集团有限公司
地址:300467 天津市滨海新区生态城中天大道1620号生态科技园启发大厦12层101
国籍:CN
代理机构:天津市鼎和专利商标代理有限公司
代理人:蒙建军

本文发布于:2024-09-20 15:00:03,感谢您对本站的认可!

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