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具有隔离层的场效应晶体管及其制备方法[发明专利]

专利名称：具有隔离层的场效应晶体管及其制备方法专利类型：发明专利

发明人：刘强，俞文杰

申请号：CN202010850667.6

申请日：20200821

公开号：CN111952188A

公开日：

20201117

专利内容由知识产权出版社提供

摘要：本发明提供一种具有隔离层的场效应晶体管及其制备方法，包括依次堆叠的底衬底、绝缘层及顶半导体层的半导体基底，顶半导体层中包覆具有间距的隔离层；栅极结构在垂向上的投影覆盖间距并与隔离层形成交叠区域，源极区及漏极区在垂向上的投影完全位于隔离层内。通过隔离层可将源、漏电极与位于隔离层下方的顶半导体层的载流子传输通道隔离，将源、漏电极的漏电路径完全隔断，解决顶半导体层底部漏电问题，提升器件的抗总剂量辐照能力，且通过隔离层的间距保证了沟道处的散热速率，进一步的还可解决沟道侧边的漏电问题，制备工艺与现有CMOS工艺完全兼容，适用范围较广，可用于制备高可靠性的集成电路及分立器件。

申请人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所

地址：200050 上海市长宁区长宁路865号

国籍：CN

代理机构：上海光华专利事务所(普通合伙)

代理人：余明伟

本文发布于:2024-09-20 19:56:34，感谢您对本站的认可！

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