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一种半导体复合发光材料、制备方法及发光器件[发明专利]

专利名称：一种半导体复合发光材料、制备方法及发光器件专利类型：发明专利

发明人：李良，郑为霖，何梦达，孔龙

申请号：CN202111481852.3

申请日：20211206

公开号：CN114163997A

公开日：

20220311

专利内容由知识产权出版社提供

摘要：本发明公开一种半导体复合发光材料、制备方法及发光器件，其中，一种半导体复合发光材料包括半导体荧光材料和氧化物，氧化物与半导体荧光材料形成异质结结构，且半导体荧光材料和氧化物的摩尔比为1:1～100。氧化物与半导体荧光材料形成异质结结构，所得到的复合物形成typeⅡ能级结构，且半导体荧光材料和氧化物的摩尔比为1:1～100，通过调控氧化物的种类和含量，获得波长可调，光谱稳定的半导体复合发光材料。

申请人：上海交通大学

地址：200240 上海市闵行区东川路800号

国籍：CN

代理机构：深圳市韦恩肯知识产权代理有限公司

代理人：黄昌平

本文发布于:2024-09-21 01:21:30，感谢您对本站的认可！

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