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一种基于磷硒化锰(MnPSe)的光电晶体管[发明专利]

专利名称：一种基于磷硒化锰(MnPSe)的光电晶体管专利类型：发明专利

发明人：邢杰，韩旭，徐光远，荣东珂，郝会颖，刘昊

申请号：CN202010851284.0

申请日：20200821

公开号：CN112103353A

公开日：

20201218

专利内容由知识产权出版社提供

摘要：本发明公开了一种基于二维半导体材料MnPSe的光电晶体管及其多种衍生结构，其基本元素包括：Si/SiO衬底、MnPSe薄膜、源漏电极和门电极。其特征在于：以层状MnPSe材料作为主要光敏层的光电探测器。将机械剥离的少层MnPSe转移到Si/SiO衬底上，应用微加工技术和镀膜技术制备晶体管的源、漏和门电极，优化器件结构参数，实现MnPSe对光的探测。多种晶体管衍生结构，包括金属颗粒修饰，半导体量子点敏化，异质结结构，悬空结构，离子液体/去离子水/PMMA/BN/高介电材料/铁电材料等作为门栅介质的MnPSe光电晶体管，可以进一步提高MnPSe的光电灵敏度、光电响应速度以及可调控性。

申请人：中国地质大学(北京)

地址：100083 北京市海淀区学院路29号

国籍：CN

代理机构：北京知呱呱知识产权代理有限公司

代理人：彭伶俐

本文发布于:2024-09-20 15:07:34，感谢您对本站的认可！

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