半导体衬底表面分析的预处理方法和装置[发明专利]

专利名称:半导体衬底表面分析的预处理方法和装置专利类型:发明专利
发明人:渡边香里
申请号:CN98117901.0
申请日:19980903
公开号:CN1211730A
公开日:
19990324
专利内容由知识产权出版社提供
摘要:一种半导体衬底表面分析的预处理装置,具有保持分解/回收液的衬底处理部分,所述分解/回收液要与经表面分析的衬底的整个表面接触;保持要进行表面分析的衬底并将要进行表面分析的衬底在衬底托架和衬底处理部分之间移动的衬底传输部分,用于分解/回收液的提供和排出装置,以及在衬底处理部分进行超声波或加热处理的处理操作部分。
申请人:日本电气株式会社
地址:日本东京
国籍:JP
代理机构:中原信达知识产权代理有限责任公司
代理人:穆德骏

本文发布于:2024-09-20 16:52:57,感谢您对本站的认可!

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标签:衬底   表面   处理   部分
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